ЗУ типа РНОМ

В ЗУ типа PROM микросхемы программируются устранением или создани­ем специальных перемычек. В исходной заготовке имеются (или отсутству­ют) все перемычки. После программирования остаются или возникают только необходимые.

Устранение части перемычек свойственно ЗУ с плавкими перемычками (типа fuse — предохранитель). При этом в исходном состоянии ЗУ имеет все пере­мычки, а при программировании часть их ликвидируется путем расплавления импульсами тока достаточно большой амплитуды и длительности.

(2) Термином "прошивка" иногда называют содержимое постоянной памяти. Это на­звание появилось во времена памяти на ферритовых сердечниках, когда информа­ция заносилась в ЗУ путем пропускания провода через определенные сердечники.

В ЗУ с плавкими перемычками эти перемычки включаются в электроды диодов или транзисторов. Перемычки могут быть металлическими (вначале изготовлялись из нихрома, позднее из титановольфрамовых и других спла­вов) или поликристаллическими (кремниевыми). В исходном состоянии за­поминающий элемент хранит логическую единицу, логический нуль нужно записать, расплавляя перемычку.

Создание части перемычек соответствует схемам, которые в исходном со­стоянии имеют непроводящие перемычки в виде пары встречно включен­ных диодов или тонких диэлектрических слоев, пробиваемых при програм­мировании с образованием низкоомных сопротивлений. Схемы с тонкими пробиваемыми диэлектрическими перемычками (типа antifuse) наиболее компактны и совершенны. Их применение характерно для программируе­мых логических СБИС. В номенклатуре про­дукции стран СНГ ЗУ с перемычками типа antifuse отсутствуют.

Второй тип запоминающего элемента FROM — два встречно включенных диода. В исходном состоянии сопротивление такой цепочки настолько ве­лико, что практически равноценно разомкнутой цепи, и запоминающий элемент хранит логический нуль. Для записи единицы к диодам приклады­вают повышенное напряжение, пробивающее диод, смещенный в обратном направлении. Диод пробивается с образованием в нем короткого замыкания и играет роль появившейся проводящей перемычки.

Запоминающие элементы с плавкими перемычками и парами диодов пока­заны на рис. 4.13, а, б' в исходном состоянии и после программирования.

Рис. 4.13. Запоминающие элементы с плавкими перемычками (а) и диодными парами (б)

Матрица запоминающих элементов ЗУ с плавкими перемычками в технике ТТЛ (микросхемы К155РЕЗ) показана на рис. 4.14. ЗУ имеет организацию 32х8. Матрица содержит 32 транзистора с 9 эмиттерами в каждом (8 рабочих и один технологический для уточнения режима прожигания, технологиче­ский эмиттер на рисунке не показан). Высокий потенциал на какой-либо шине выборки активизирует соответствующий транзистор, работающий в режиме эмиттерного повторителя. До программирования транзисторы пере­дают высокий потенциал базы на все выходные (разрядные) линии, т. е. по всем адресам записаны слова, состоящие из одних единиц. Пережигание перемычки в цепи какого-либо эмиттера дает ноль в данном разряде слова, например, для ячейки с номером 1 показан вариант программирования для хранения по этому адресу слова. Выходы матрицы связаны с внешними цепями через буферныекаскады, имеющие выходы типа ОК или ТС. ЗУ имеет структуру 2D.

Рис. 4.14. Матрица запоминающих элементов с плавкими перемычками в технике ТТЛ

Программирование ЗУ с плавкими перемычками реализуется простыми аппа­ратными средствами и может быть доступно схемотехникам даже при отсутст­вии специального оборудования. На рис. 4.15 показан многоэмиттерный тран­зистор (МЭТ) с плавкими перемычками и дополнительными элементами, обеспечивающими программирование ЗУ. Выходы этого запоминающего эле­мента передаются во внешние цепи через буферные каскады с тремя состоя­ниями, работа которых разрешается сигналом ОЕ. При этом сигнал разреше­ния работы формирователей импульсов программирования ОЕр отсутствует, и они не влияют на работу схемы. При программировании буферы данных пе­реводятся в третье состояние (ОЕ = 0), а работа формирователей F разрешает­ся. Слово, которое нужно записать в данной ячейке, подается на линии дан­ных D7-D0. Те разряды слова, в которых имеются единицы, будут иметь на выходах формирователей низкий уровень напряжения. Соответствующие эмиттеры МЭТ окажутся под низким напряжением и через них пройдет ток прожигания перемычки. При чтении отсутствие перемычки даст нулевой сиг­нал на вход буфера данных. Так как буфер инвертирующий, с его выхода снимется единичный сигнал, т. е. тот, который и записывался. Адресация программируемой ячейки как обычно обеспечивается дешифратором адреса, подающим высокий уровень потенциала на базу адресуемого МЭТ.

Рис. 4.15. Схема запоминающей ячейки с элементами программи­рования плавких перемычек

Для прожигания перемычек на них подают токи в десятки миллиампер в виде серии импульсов (для большей надежности прожигания). Не все пере­мычки удается пережечь надлежащим образом, коэффициент программируемости для серии К556, например, составляет 0,5...0,7. В ЗУ с плавкими перемычками возможно восстановление проводимости перемычек через не­которое время из-за миграции в электроматериалах.

Плавкие перемычки занимают на кристалле относительно много места, по­этому уровень интеграции ЗУ с. такими перемычками существенно ниже, чем у масочных ЗУ. В то же время простота программирования пользовате­лем и невысокая стоимость в свое время обусловили широкое распростра­нение ЗУ типа PROM. Невысокая стоимость программируемых пользовате­лем ЗУ объясняется тем, что изготовитель выпускает микросхемы без учета конкретного содержимого ЗУ, т. е. освобожден от проектирования по спе­циализированным заказам и, следовательно, связанных с этим затрат.

Среди отечественных PROM ведущее место занимают микросхемы серии К556, имеющие информационную емкость 1...64 Кбит и время доступа по адресу 70...90 нc.

Внешняя организация памяти типов ROM(M) и PROM проста: входными сигналами для них служат адресный код и сигнал выбора микросхемы CS. Во времени последовательность сигналов следующая: вначале подается адресный код (чтобы произошла дешифрация адреса и было исключено обращение к непредусмотренной ячейке), затем поступает сигнал выбора микросхемы CS и после задержки, определяемой быстродействием схемы, на выходах данных устанавливаются правильные значения считываемых сигналов.