Вопрос. Физические процессы в электронно-дырочном переходе

Конспект

по курсу «Электроника»

для студентов ЗФО

Тюмень 2009

Тема: Полупроводниковые диоды и тиристоры

Вопрос. Физические процессы в электронно-дырочном переходе.

К полупроводниковым относятся материалы, которые при комнатной температуре имеют удельное сопротивление r =10^-3... 10¹⁰ Ом× см, зависящее от температуры, освещенности, ионизирующего излучения, электрического поля и др.

Для изготовления полупроводниковых приборов применяют простые полупроводниковые вещества - германий, кремний, селен - и некоторые химические соединения, например, арсенид галлия GaAs, антимонид индия InSb, фосфид индия InP, карбид кремния SiC.

Полупроводники имеют кристаллическую структуру, которая однородна при температуре абсолютного нуля. По мере нагрева часть валентных связей нарушается вследствие тепловых колебаний в кристаллической решетке, что приводит к одновременному образованию свободных электронов и незаполненных связей (дырок). Генерация пар носителей заряда может происходить также под действием света, электрического поля, излучения и др. Электропроводность собственного полупроводника, обусловленную парными носителями заряда (электронами и дырками), называют собственной. Вводя в собственный полупроводник примеси, получают примесную электропроводность. Донорные примеси, атомы которых отдают электроны, образуют полупроводники с преобладающей электронной электропроводностью (n -типа). Полупроводники с преобладающей дырочной электропроводностью называют полупроводниками p -типа, а соответствующие примеси - акцепторами.

Область на границе контакта двух полупроводников с противоположным типом электропроводности называется электронно-дырочнымили n-p -переходом. Переход обладает несимметричной проводимостью, т. е. имеет нелинейное сопротивление. Работа большинства полупроводниковых приборов (диодов, тиристоров и др.) основана на использовании свойств n-p -переходов.

Рассмотрим процессы в n-p -переходе при отсутствии внешнего источника напряжения (рис.1.1). Так как носители заряда совершают беспорядочное тепловое движение, то происходит их диффузия из одного полупроводника в другой. Концентрация электронов в n -слое больше, чем в p -слое, и часть электронов перейдет из n -слоя в p -слой. Одновременно наблюдается диффузионный переход дырок из p- слоя в n -слой. В результате в n -слое остается нескомпенсированный объемный заряд положительных ионов (в основном донорной примеси), а в p -слое - нескомпенсированный объемный заряд отрицательных ионов акцепторной примеси. Между образовавшимися объ

емными зарядами возникает контактная разность потенциалов U _к =j_n-j_p и электрическое поле напряженностью Е _к. На потенциальной диаграмме n-p -перехода (рис.1.1б) за нулевой потенциал принят потенциал граничного слоя. В n-p -переходе возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузионному перемещению носителей заряда. Высота барьера равна контактной разности потенциалов и обычно составляет десятые доли вольта. На рис.1.1б изображен барьер для электронов, стремящихся за счет диффузии перемещаться из области n в область p.

Таким образом, в n-p -переходе вследствие ухода электронов и дырок вглубь p - и n -областей образуется обедненный зарядами слой, называемый запирающим и обладающий большим сопротивлением в сравнении с сопротивлением остальных объемов n - и p -областей.

Если источник внешнего напряжения положительным полюсом подключить к полупроводнику p -типа и отрицательным к n -типа (прямое включение), то электрическое поле, создаваемое в n - p -переходе прямым напряжением U _пр, действует навстречу контактной разности потенциалов U _к. Потенциальный барьер понижается до величины U _к- U _пр, уменьшаются толщина запирающего слоя и его сопротивление R _пр.

Если полярность внешнего источника изменить на обратную, то потенциальный барьер возрастает до величины U _к+ U _обр. В этом случае через переход могут пройти только неосновные носители: электроны из p -области в n -область и дырки во встречном направлении. Так как концентрация основных носителей заряда на насколько порядков выше концентрации неосновных, то прямые токи на несколько порядков больше обратных. Электронно-дырочный переход обладает выпрямляющими свойствами, которые используются для создания диодов.