Устройство МДП транзистора

На рис. 2.35 схематически показано устройство МДП транзистора с каналом р-типа. В подложке из кремния п-типа путем диффузии создаются две сильнолегированные р-области. Одна из этих областей, от которой начинают движение, основные носители в канале, называется истоком; другая область, к которой движутся основные носители, называется стоком. На поверхности кремния между стоком и истоком расположен тонкий слой диэлектрика нанесенного тем или иным технологическим способом. Эта область называется затвором и является управляющим электродом.

Рис. 2.35. Устройство МДП транзистора с каналом р-типа и изолированным затвором.

Наибольшее применение в качестве материала затвора нашла двуокись кремния SiO₂. МДП транзистор с диэлектриком из окиси исходной полупроводниковой пластины называется МОП транзистором (металл — окисел — полупроводник). Входное сопротивление транзистора составляет 10¹⁰ —10¹⁴ Ом. Так как входные токи полевых транзисторов малы, то управление изменением тока в выходной цепи осуществляется входным напряжением. Поэтому усилительные свойства полевого транзистора, как и вакуумных ламп, характеризуются крутизной характеристики S.

Рис. 2.36. Типовые структуры полевых транзисторов: а) МДП транзистор с индуцированным каналом; б) МДП транзистор с встроенным каналом: Д — диэлектрик; М — металл; П — полупроводник