Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






В схеме с ОБ





 

Статические характеристики для схемы с ОБ (рис. 2.10) обычно представляются в виде семейства выходных (коллекторных) характеристик Ic(Vc) с параметром Ie (2.15а) и семейства входных (эмиттерных) характеристик Ie(Ve) с параметром Vc:

Ic = αIe – Ie0[exp(qVc/kT)-1] (2.15а)

В последнем случае связь между напряжением и током, действующими на эмиттере определяется соотношением:

Ve = , (2.15б)

где Ie0 и Ic0—обратные токи эмиттера и коллектора при разомкнутом коллекторе и эмиттере соответственно, а α — коэффициент передачи коллекторного тока, который учитывает обратное влияние тока коллектора на ток эмиттера.

В зависимости от того, как включены р— n-переходы транзистора, различают три режима работы транзистора.

1. Активный режим (эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт, т. е. Vc <0). В нем имеет место эффективное управление транзистором, и он может выполнять функции активного элемента — быть усилителем, генератором и т. д.

 

Рис. 2.10. Статические характеристики транзистора при включении по схеме с ОБ: а—коллекторные (выходные); б—эмиттерные (входные).

 

2. Режим отсечки (оба перехода закрыты, т. е. Ie<0), ток коллектора неуправляем.

3. Режим насыщения (оба перехода открыты, т. е. Vc >0), ток коллектора неуправляем.

Последние два режима транзистора используются в ключевых импульсных схемах.

Рассмотрим более детально активный режим. Для него справедливы соотношения Vc < 0; |Vc|>>kT/q, Ve>>kT/q, при которых выражения (2.15а) и (2.15б) переходят в следующие:

Ic = αIe+Ic0 (2.16а)

Ve = (2.16б)

Выражение (1.16а) широко используется на практике. Как видно из рис. 2.10а, в активной области ток коллектора практически не зависит от напряжения на коллекторе. При изменении тока эмиттера на величину ΔIe зависимость Ic(Vc) сдвигается на величину ΔIc = αΔIe. Реальные коллекторные характеристики за счет зависимости α и Ic0 от Ie и Vc.имеют конечный наклон, который резко увеличивается в области, близкой к пробою, когда напряжение на коллекторе Vc достигает напряжения лавинного пробоя VM. При больших обратных смещениях на коллекторе начинаются процессы ударной ионизации, и при любом Ie коллекторный ток увеличивается в М раз: Ic(VM) =MIc0, где М— коэффициент ударной ионизации, описывающейся полуэмпирической формулой

M = (2.17)

где n=3 для базы из п—Ge и р—Si и n=5 для базы из р—Ge и п— Si. Лавинное умножение тока в области больших Vc приводит также к увеличению α, т. е. α M α.

Влияние Vc на эмиттерные характеристики не столь существенно, и последние образуют довольно плотный пучок. Кривая при Vc = 0 является обычной диодной характеристикой.

Date: 2015-05-09; view: 573; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.008 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию