Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
В схеме с ОБ
Статические характеристики для схемы с ОБ (рис. 2.10) обычно представляются в виде семейства выходных (коллекторных) характеристик Ic(Vc) с параметром Ie (2.15а) и семейства входных (эмиттерных) характеристик Ie(Ve) с параметром Vc: Ic = αIe – Ie0[exp(qVc/kT)-1] (2.15а) В последнем случае связь между напряжением и током, действующими на эмиттере определяется соотношением: Ve = , (2.15б) где Ie0 и Ic0—обратные токи эмиттера и коллектора при разомкнутом коллекторе и эмиттере соответственно, а α — коэффициент передачи коллекторного тока, который учитывает обратное влияние тока коллектора на ток эмиттера. В зависимости от того, как включены р— n-переходы транзистора, различают три режима работы транзистора. 1. Активный режим (эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт, т. е. Vc <0). В нем имеет место эффективное управление транзистором, и он может выполнять функции активного элемента — быть усилителем, генератором и т. д.
Рис. 2.10. Статические характеристики транзистора при включении по схеме с ОБ: а—коллекторные (выходные); б—эмиттерные (входные).
2. Режим отсечки (оба перехода закрыты, т. е. Ie<0), ток коллектора неуправляем. 3. Режим насыщения (оба перехода открыты, т. е. Vc >0), ток коллектора неуправляем. Последние два режима транзистора используются в ключевых импульсных схемах. Рассмотрим более детально активный режим. Для него справедливы соотношения Vc < 0; |Vc|>>kT/q, Ve>>kT/q, при которых выражения (2.15а) и (2.15б) переходят в следующие: Ic = αIe+Ic0 (2.16а) Ve = (2.16б) Выражение (1.16а) широко используется на практике. Как видно из рис. 2.10а, в активной области ток коллектора практически не зависит от напряжения на коллекторе. При изменении тока эмиттера на величину ΔIe зависимость Ic(Vc) сдвигается на величину ΔIc = αΔIe. Реальные коллекторные характеристики за счет зависимости α и Ic0 от Ie и Vc.имеют конечный наклон, который резко увеличивается в области, близкой к пробою, когда напряжение на коллекторе Vc достигает напряжения лавинного пробоя VM. При больших обратных смещениях на коллекторе начинаются процессы ударной ионизации, и при любом Ie коллекторный ток увеличивается в М раз: Ic(VM) =MIc0, где М— коэффициент ударной ионизации, описывающейся полуэмпирической формулой M = (2.17) где n=3 для базы из п—Ge и р—Si и n=5 для базы из р—Ge и п— Si. Лавинное умножение тока в области больших Vc приводит также к увеличению α, т. е. α M=М α. Влияние Vc на эмиттерные характеристики не столь существенно, и последние образуют довольно плотный пучок. Кривая при Vc = 0 является обычной диодной характеристикой.
|