Определение параметров нагрузки

Ток на нагрузк: Iн = Uпит / Rн = 6 / 100 = 60 mA.

Мощность нагрузки: Pн = Uпит × Iн = 6×0,06=0,36 Вт

Выбор транзисторов, по допустимой мощности рассеяния на коллекторе, и максимальной амплитуде коллекторного тока:

Ток коллектора транзистора: Iк = Iн = 60 mA.

Мощность: Pmax = 0,36 Вт

Напряжение на переходе коллектор - эмиттер Uкэ = 6 В

По этим параметрам выбираем транзистор для фильтра:

BC547 со следующими параметрами:

Максимальный прямой ток коллектора: I_{k max} = 0,1 (A) Максимальное напряжение на транзисторе U_{кэ max} = 45 (B)

Мощность рассеивания: P_{k max} = 0,5 (Bт)

Коэффициент усиления: h₂₁ = 110-800 (среднее значение 440).

Материал полупроводника: Si.

Графоаналитический метод:

U_кэ = Е_п / 2 = 6 / 2 = 3 B (при усилении переменных сигналов на коллекторе, как правило, устанавливается половина напряжения питания при закрытом транзисторе)

I_к = Е_п / 2R_н = 6 / (2*100) = 0,03 A

В системе координат выходной характеристики строим треугольник мощности:

прямая U_нач. отсекает область существенной нелинейности токов базы, от U_нач. откладываем величину U_кэ, затем соединяем точки I_к и U_кэ. Далее строим Р_{к доп}- нагрузочная кривая, которая в данных расчётах не должна заходить в область треугольника мощности, но максимально приближаться к нему. Из этого следует, что транзисторы работают без радиаторов (т.е. рассеиваемая мощность на транзисторе не превышает его допустимой выходной мощности).

Рис. 4 Семейство выходных характеристик транзистора ВС547

Рис.5 Входная характеристика транзистора ВС547