Полевой транзистор с р-n переходом

Канальные транзисторы бывают n и p типа. Стрелка вправо на затворе показывает канал n типа, влево p типа. Канал создан из полупроводника n типа заключенного между 2мя p-n переходами. Начало движения заряда - исток, электрод к которому движется заряд- сток. Полупроводниковый слой p типа имеет более высокую концентрацию носителей. Входное напряжение поданное на данный транзистор является обратным для p-n перехода. Полевые транзисторы с p-n переходом имеют запирающее напряжение U. Это значит что при смене полярности входного сигнала транзистор перестает работать. Управляющее вх U является обратным для обоих p-n переходов. Управление током может производится за счет изменения ширины p-n перехода. P-n переход представляет собой группу полупроводников, объединенных носителем заряда, но поскольку концентрация зарядов в p слое больше чем в n, то измерение ширины происходит за счет высокоом. n-слоя, т.е действует эффект модуляции ширины базы. Сечение токопроводящего канала изменяется, значит изменяется и его проводимость, изменяется ток.

1. Uзи<0, Uис=0, Ic=0

U приложено только ко входу. При этом изменение Uзи приводит к изменению проводимости канала, за счет равномерного сужения канала по всей длинне.

2.Uзи=0, Uис>0, Ic>0

При Uис>0 через канал протекает Ic, в результате создается падение U, которое возрастает от И к С. Максимальное падение U=Uсм, которое было в точке C. Потенциалы точек р-типа будут неодинаковы по его длинне, возрастая от 0 до Uис в точке стока. Т.к потенциалы точек p обладают определенным напряжением, определяется Uзи=0, Uобр приложенное к pn переходувозрастает от истока к стоку, которая приводит к возрастанию ширины модуляции базы. При некоторой Uис происходит смыкание канала, и его сопротивление становится высоким.

3. Uзи<0, Uис>0, Ic>0