Схема с ОЭ

В схеме с общим эмиттером вывод эмиттера является общим для входной и выходной цепи транзистора. В транзисторе н-п-н типа полярности будут противоположны,необходимы 2 источника питания Ubэ и Uкэ, на эмиттерном переходе определяется Ubэ, напряжение на коллекторном переходе = Uкэ- Ubэ.

16.Входные характеристики транзисторов с ОЭ

Ib=f(Ubэ)|ukэ=const. п-н-п переход, при напряжении не равном 0, Киэ это характеристика параллельного соединения коллекторного и эмиттерного переходов. В цепи базы питание это сумма токов. К работает в режиме инжекции, при повышении напряжения на коллекторе переход закрывается и ток базы падает, дальнейшее повышение напряжения кэ по абсолютной величине вызовет смещение к оси входного напряжения изза эффекта модуляции базы. Тепловой ток течет к базе цепи и напряжение встречно отпир. поэтому нулевой ток базы может обеспеч лишь при некотором напряжении компенсирующем ток коллектора0. При наличии тока коллектора запирание перехода БЭ приводит к появлению в бзе отрицательного тока. Уровень этого тока –Ik0. В отличии от германия на силициуме все смещено вправо. Прямое падения напряжения на открытой переход силициума транзистора, приблизительно в 2 раза больше чем на в германии и достигает 0,7 вольт. В силовых транзисторах могут быть особенности, связанные с большим током колектора0, в маломощных транзисторах этот ток равен 1…10микроампер

Rb≤(Ubэ0-4υt)/Ik0max