Принцип действия биполярного транзистора и его параметры

Транзистор включают 3 способами с ОБ,ОЭ, ОК. Рассмотрим тр-р р-n-р с ОБ:

Использ 2 источника U: Uэ подкл к + полюсу,а Uк к -.

Внешние напряжения подключают к транзистору таким образом, чтобы эмиттерный переход оказался смещенным в прямом направлении, а коллекторный - в обратном.

Напряжение Uэ действует в прямом направлении, и дырки из эмиттера в большом количестве будут диффундировать в область базы. Диффузионный поток электронов, основных носителей заряда в базе, также возрастает.

Осовная функция эмиттерного перехода сводится к ИНЖЕКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА (ДЫРОК) В БАЗУ.

Iэ = Iэp + Iэn; Iк = Iкp + Iк0; Iб = Iбp + Iэn - Iк0

Управляющ. св-ва: 1) изменение выходного коллекторного тока под действием подводимого тока эммитора – происходит из-за изменения дырочной составляющей эм. тока.

принцип действия основан на создании транзитного потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и управления выходным током за счет изменения входного тока. Следовательно, биполярный транзистор управляется током.

В соответствии с первым законом Кирхгофа:

Iэ = Iк + Iб; Iк = a Iэ + Iк0; Iб = (1- a)Iэ - Iк0

Коэф-т передачи эм. тока равен: a=γ*δ, где γ- коэф-т инжекции – показатель эм. перехода; γ=Iкр/Iэ=0,97...0,998 – какая часть дырок участвует в движении; δ- относител. коэф-т переноса носителя заряда к базе= Iкр/ Iэр (дыр. состав. кол. тока/ дыр. состав. эм. тока);

В идеальном транзисторе a=1. Мощность вых сигнала может быть больше входной мощности (т.к Uк больше Uэ). Низкое входное соп-е – это способствует достижению наивысших частотных св-в тран-ра.