Указания к заданию 6

Перерисовав статические характеристики полевого транзистора, на семействе выходных характеристик строится нагрузочная прямая по точкам, в которых она пересекает оси координат согласно уравнению

E_C=U_СИ+I_CR_C,

В ключевом режиме рабочая точка на выходных характеристиках находится либо в режиме отсечки (транзистор заперт, ключ разомкнут), либо на начальном линейном участке ВАХ (транзистор открыт, ключ замкнут). Остаточное напряжение открытого транзистора определяется сопротивлением канала r’_K и током насыщения I_СН (74). Сопротивление канала согласно (69) является обратной величиной крутизны на пологом участке ВАХ при

U_ЗИ= ,

где – заданное отпирающее напряжение. Таким образом, формулу (75) можно записать в виде:

.

Крутизна находится по семейству ВАХ транзистора.

Остаточное напряжение найденное графически U_{ост,граф} может не совпадать с рассчитанным значением. Оно может быть больше рассчитанного, если область стока имеет заметное омическое сопротивление r_c’. Однако чаще расхождение объясняется неточностью математической модели, отраженной в формулах (64), (69), которые справедливы лишь в ограниченной области токов и напряжений.

Мощность P₀, потребляемая замкнутым ключом и мощность P_тр, рассеиваемая в открытом транзисторе вычисляются по формулам:

P₀= E_C I_CН

P_тр= U_остI_CН

Длительности фронта и среза импульса определяются по формулам (76) и (77) при заданной емкости нагрузки.