Указания к заданию 4

Перерисовав статические характеристики полевого транзистора, определяют дифференциальные параметры в заданном рабочем режиме. Метод их нахождения изложен в теоретической части пособия. По выходным характеристикам на низкой частоте определяются два параметра – крутизна S и выходное сопротивление R_i

Статический коэффициент усиления μ обычно нельзя найти непосредственно по выходным характеристикам, этот параметр вычисляется по формуле (68). Все три параметра можно найти непосредственно по семейству передаточных характеристик, если оно включает заданную рабочую точку.

Расчет полевого транзистора на высокой частоте проводится с помощью физической эквивалентной схемы, приведенной на рис.28. В справочниках приводятся значения емкостей С_вх или , С_прох= С_ЗС и С_вых= С_СП. Приведенные значения , которая обозначается как емкость затвор-исток, фактически, включают емкость затвор-канал С_ЗК и паразитную емкость затвор-исток С_ЗИ:

= С_ЗК + С_ЗИ

Входная емкость С_вх имеет, согласно (72), три составляющие:

С_вх= С_ЗК + С_ЗИ+ С_ЗС

При расчетах положим С_ЗИ = С_ЗС, поскольку причина их появления одна и та же. Сопротивление канала r’_K определяется по найденному значению крутизны по формуле (69):.

r’_K=1/ S₀

После нахождения всех параметров строится эквивалентная схема для области высоких частот. По этой схеме можно выполнить расчеты любых параметров на любой частоте. Частотная зависимость крутизны дается выражением (71), входная проводимость согласно эквивалентной схеме равна

,

где k=ωτ_S= ω/ω_S;

ω – рабочая частота;

τ_S= r’_KС_ЗК и ω _S =1/τ_S - постоянная времени и граничная частота крутизны.