Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Вольтамперные характеристики МДП-транзисторов





В МДП-транзисторах канал образован избыточными носителями, заряд которых не скомпенсирован. Плотность поверхностного заряда Qs можно считать равным нулю при UЗИ=UПОР. При UСИ=0

Qs=C0(UЗИ-UПОР),

где C0=εε0/d – удельная емкость затвора (d – толщина диэлектрика).

При 0<UСИ<UНАС Qs=C0(UЗИ-UПОР- U(x))

Ток стока пропорционален напряженности поля E(x):

IC=-μsQsWE(x)= μsWC0(UЗИ-UПОР- U(x)) dU /dx,

где μs - поверхностная подвижность носителей (μs меньше объемной подвижности μ), W – ширина канала. Интегрируя это уравнение в пределах 0≤x≤L, 0≤U≤UСИ получаем

(UСИ≤UНАС), (62)

где - удельная крутизна.

Начальные крутые участки ВАХ используются в ключевых (импульсных) схемах. При UСИ<<UЗИUПОР можно пренебречь квадратичным членом в выражении (62) и получить линейную зависимость:

IС=b(UЗИ – UПОР)UСИ

Коэффициент при UСИ называется проводимостью канала, а обратная величина – сопротивлением канала:

(63)

При UСИ≥UНАС подставляя (61) в (62), получаем

(64)

На рис.27 а показано типичное семейство выходных характеристик МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом, раличающихся лишь значением порогового напряжения (1В и –3В).


Штриховая линия на рис. 27 а отделяет крутую область от пологой. Значения UЗИ, приведенные в скобках, соответствуют транзистору со встроенным каналом. Из начала координат характеристики выходят с разным наклоном, тангенс угла наклона в соответствии с формулой (62) пропорционален UЗИUПОР. В пологой области ВАХ неэквидистантны - с ростом UЗИ растет приращение тока стока при одинаковом шаге UЗИ в соответствии с формулой (64). Наклон характеристик в пологой области объясняется уменьшением сопротивления канала при расширении перекрытой части.

Передаточные (стоко-затворные) характеристики транзисторов с индуцированным и встроенным каналом для области насыщения показаны на рис.27 б. Они совпадают по форме, но сдвинуты по оси UЗИ на разность пороговых напряжений.

Date: 2015-05-09; view: 530; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию