Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
 |
В этих транзисторах затвор отделен от полупроводника тонким слоем диэлектрика (0,1-0,2 мкм), в качестве которого чаще всего используется диоксид кремния (МОП-транзисторы). Аббревиатуры МДП и МОП показывают чередование слоев затвора: металл – диэлектрик – полупроводник и металл – оксид – полупроводник Устройство МДП-транзистора с индуцированным n -каналом показано на рис. 26 а. На кремниевой подложке p- типа созданы сильно легированные области истока и стока n+ -типа на расстоянии L. В исходном состоянии канал отсутствует и между этими областями нет проводимости, т.к. их разделяет два встречно включенных p-n -перехода (заштрихованные области на рис. 26 а). Подложка обычно соединяется с истоком, но может иметь также отдельный вывод, как показано на рис. 22 в, и служить вторым управляющим электродом.
При подаче положительного напряжения на затвор под ним образуется слой, обедненный дырками, и с увеличением напряжения толщина этого слоя возрастает. Электроны при этом притягиваются к поверхности и их поверхностная концентрация ns растет. При некотором значении UЗИ, которое называется пороговым UПОР, поверхностные концентрации электронов и дырок выравниваются ns=ps=ni. При UЗИ>UПОР происходит инверсия проводимости и под затвором образуется тонкий слой, в котором основными носителями становятся электроны – образуется канал, соединяющий области стока и истока. С увеличением напряжения UЗИ растет заряд электронов притянутых к поверхности, проводимость канала увеличивается. Этот заряд сосредоточен в очень тонком слое, толщиной 1-2нм. При подаче на сток напряжения (UCИ>0) в канале возникает ток IС и вдоль канала появляется падение напряжения U(x), величина которого зависит от расстояния x до истока. При этом между затвором и каналом будет действовать уже разность напряжений - UЗИ - U(x), и плотность поверхностного заряда уменьшается по направлению к стоку. С увеличением напряжения UCИ растет ток стока и одновременно падает плотность поверхностного заряда на выходе канала. При UСИ =UНАС разность UЗИ – UСИ= UПОР, плотность заряда на выходе обращается в ноль и канал перекрывается, ток достигает максимального значения. Таким образом,
UНАС= UЗИ –UПОР (61)
При дальнейшем увеличении UCИ все избыточное напряжение UСИ -UНАС падает на перекрытом участке, ток практически не изменяется, длина перекрытого участка ΔL при этом увеличивается и длина канала несколько уменьшается (рис. 26 б).
В транзисторах со встроенным каналом канал существует в исходном состоянии, и они могут работать при разной полярности UЗИ при UЗИ>-UПОР= UОТС.
Устройство и принцип действия транзисторов с p- каналом аналогичны, лишь тип проводимости областей на рис.26 и полярность прикладываемых напряжений меняется на противоположный.
Date: 2015-05-09; view: 471; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА... |