Вольтамперные характеристики полевого транзистора с p-n-переходом

Выходных характеристики полевого транзистора в схеме с общим истоком (ОИ) приведены на рис. 24.

Выходных характеристики имеют начальный крутой участок в области от 0 до U_НАС, которые описываются формулой (57), и пологий при U_СИ > U_НАС, где. ток стока I_С остается практически постоянным, этот участок ВАХ называется участком насыщения. Незначительное увеличение тока стока I_С в режиме насыщения при повышении U_СИ объясняется некоторым увеличением длины перекрытого участка и соответствующим уменьшением длины канала и падения напряжения на канале. Поэтому выходная дифференциальная проводимость в режиме насыщения имеет конечное значение.

При дальнейшем увеличение U_СИ наступает пробой р-n -перехода и I_С лавинообразно возрастает. Пробой возникает на перекрытом участке канала в области стока, где напряженность поля максимальна.

Передаточные характеристики I_С= при U_СИ=const для пологого участка выходных характеристик (U_СИ > U_НАС) приведены на рис25. Ток I_С имеет максимальное значение при U_ЗИ =0. При U_ЗИ=U_ОТС канал перекрывается по всей длине, ток выходной цепи становится минимальным и определяется лишь током неосновных носителей заряда. Этот ток является неуправляемым и может составлять единицы наноампер.

Передаточная характеристика теоретически описывается формулой (58), на практике пользуются более удобной аппроксимацией:

, (60)

которую обычно записывают в виде:

, , (60 а)

где b – удельная крутизна.

Входные характеристики представляют собой обратную ветвь вольтамперной характеристики p-n -перехода затвора. Ток затвора составляет единицы – десятки нА, входное сопротивление – 10⁸¸10⁹ Ом.