Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Схема замещения транзистора для малого сигнала
 |
Для малого сигнала в активном режиме транзистор рассматривается как линейный четырехполюсник. На рис.10 приведена формальная схема замещения транзистора в системе h- параметров. Эта схема отображает систему уравнений (17) и не содержит ничего сверх этого. На высоких частотах начинает сказываться инерционность транзистора, и h -параметры становятся частотно зависимыми.
Инерционность транзистора при быстрых изменениях входных токов обусловлена конечным временем пролета инжектированных носителей и заряжением емкостей p-n-переходов. Время задержки передачи сигнала от эмиттера к коллектору ta имеет следующие составляющие
ta = tэп + tпр + tкп, (18)
где tэп – время заряжения эмиттерного перехода;
tпр – время пролета базы;
tкп – время задержки в коллекторном переходе.
Последним слагаемым обычно можно пренебречь. С учетом задержки коэффициент передачи a становится зависящим от времени или частоты. Переходные характеристики обычно аппроксимируют экспоненциальными функциями:
,
где a0 – статический коэффициент передачи.
Соответственно, частотная зависимость a(jw) определяется выражением:
, (19)
где wa=1/ta – граничная частота коэффициента передачи a. На этой частоте 
.
 |
Т-образную эквивалентную схему транзистора для схемы ОБ можно получить из модели Эберса-Молла, исключив генератор тока aII2 и заменив диоды их дифференциальными сопротивлениями и емкостями, учитывая дополнительно сопротивление базы. Эта схема приведена на рис. 11, где rЭ rК – дифференциальные сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов:
СЭ = СЭбар+СЭдф,
СК = СКбар,
r¢Б – распределенное омическое сопротивление базы, генератор тока управляется током IЭr протекающим по rЭ с коэффициентом a0. Таким образом, часть тока эмиттера расходуется на заряжение емкости СЭ, задержка сигнала определяется постоянной времени rЭСЭ=ta.
Параметры rЭ, СЭдф и заряд, накопленный в базе Qб, зависят от постоянной составляющей тока эмиттера IЭ0 в рабочей точке:
rЭ=jT ¤ IЭ0, СЭдф=dQб ¤ dUЭЬ= IЭ0tпр ¤ jT, Qб= IЭ0tпр (20)
Таким образом, эта эквивалентная схема учитывает два первых слагаемых в формуле (18). Сопротивления rЭ, rК, r¢Б можно рассчитать по статическим h- параметрам, измеренным в рабочей точке:
; 
; 
.
Приведенную схему можно пересчитать на Т-образную эквивалентную схему для включения с ОЭ (рис. 12).
 |
Здесь rЭ, r¢Б имеют те же значения, однако, коэффициент передачи
становится частотно зависимым, а дифференциальное сопротивление rK*, и емкость коллектора СK* имеют другие значения:
rK*=rK /(b0+1), СK* =(b0+1)СK (21)
Эти соотношения получаются из требования эквивалентности этих двух схем. Емкость СЭ исключена из эквивалентной схемы поскольку она учтена в частотной зависимости b.
Частотную зависимость коэффициента b можно получить подставив выражение (19) в (4):
, (22), 
где wb=1/tb – граничная частота коэффициента передачи b.
На этой частоте 
.Постоянная времени tb совпадает с временем жизни неравновесных носителей в базе t и в b+1 раз больше, чем ta:
tbºt =(b+1)ta..
Соответственно:
wb=wa ¤ (b+1).
Поскольку коэффициент b велик, усилительные способности транзистора сохраняются при частотах, значительно превышающих wb. При w>3wb в выражении (19) можно пренебречь единицей в знаменателе модуля, тогда
b(w)»b0wb/w, или wb(w)»b0wb = const
Предельной частотой коэффициента усиления тока транзистора wпр или fпр=wпр/(2p) называют частоту, при которой 
=1. Ее можно определить, измерив b на любой частоте f>3fb:
fпр=b0 fb = b(f) f (23)
Date: 2015-05-09; view: 611; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА... |