Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам

Низкочастотные значения h-параметров можно найти с помощью входных и выходных характеристик. Должна быть задана или выбрана рабочая точка А(, ), в которой требуется найти параметры. Найдем h-параметры транзистора МП14 (рис. 7,8) в рабочей точке I_Б =60мкА, U_КЭ=8В.

Параметры и определяются по выходным характеристикам транзистора (рис. 8). При постоянном токе базы задаем приращение коллекторного напряжения = 12В-4В и находим получающееся при этом приращение тока коллектора (катет зачерненного треугольника). Тогда выходная проводимость транзистора

=

Далее при постоянном напряжении коллектора U_КЭ=8В задаем приращение тока базы = - и определяем получающееся при этом приращение тока коллектора . Тогда дифференциальный коэффициент передачи тока базы

=

Параметры и определяют по входным характеристикам (рис. 7). Рабочая точка находится при I_Б =60мкА между характеристиками, снятыми при U_КЭ=5В и U_КЭ=10В. Для нахождения можно взять любую из них.. Берем две точки I_Б=60мкА и I_Б=80мкА на одной из характеристик и находим получающиеся при этом приращение напряжения базы =17 мВ. Тогда входное сопротивление транзистора

= = =850 Ом.

Затем при постоянном токе базы =60 мкА находим приращения напряжения базы =8 мВ между характеристиками, снятыми при U_КЭ=5В и U_КЭ=10В. Тогда коэффициент обратной связи по напряжению:

= = =0,0016.

Аналогично могут быть определены по соответствующим характеристикам параметра транзистора в других схемах включения.