Устройство и схемы включения биполярного транзистора

Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электронно-дырочными переходами, тремя или более выводами. Усилительные свойства биполярных транзисторов обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Структура биполярных и транзисторов приведена на рисунке 1.7.7.1.

Рис. 1.7.7.1. Структура биполярных и транзисторов

Взаимодействие между p-n- переходами осуществляется при малой толщине области между переходами. В этом случае носители заряда, инжектированные через переход, смещенный в прямом направлении, могут преодолеть малую базовую область и дойти до второго перехода.

Второй переход смещен в обратном направлении. При отсутствии инжекции носителей в область базы ток второго, обратно смещенного перехода мал. При наличии инжекции носителей в базовую область, достигшие второго перехода носители изменяют ток, протекающий через обратно смещенный переход. То есть, ток первого перехода управляет током второго перехода.

Область транзистора, используемая в режиме инжекции, называется эмиттером.

Область транзистора, осуществляющая экстракцию (удаление) носителей заряда называется коллектором.

Средняя область транзистора называется базой.

Электронно-дырочный переход, расположенный между эмиттером и базой, называется эмиттерным переходом. Электронно-дырочный переход, расположенный между коллектором и базой, называется коллекторным переходом.

Для величин, относящихся к эмиттеру, коллектору и базе применяются индексы " э" или латинская буква " e ", " к " или " c ", " б " или "b " соответственно. Например, токи в соответствующих проводниках, обозначаются . Напряжения между соответствующими электродами обозначаются двойными индексами: -напряжение между базой и эмиттером.

Различают три схемы включения транзистора (см. рис. 1.7.7.2.):

· С общим эмиттером (ОЭ) (см. рис. 1.7.7.2. а))

· С общей базой (ОБ) (см. рис. 1.7.7.2. б))

· С общим коллектором (ОК) (см. рис. 1.7.7.2. в))

Общим является электрод, потенциал которого принимается за нулевой.

Рис. 1.7.7.2. Схемы включения транзистора: