Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Электропроводность полупроводников. Полупроводников физические процессы в p-n переходе





В чистых полупроводниках присутствует определенная концентрация носителей заряда (электронов и дырок). Для снижения удельного сопротивления полупроводника и придания ему опред. типа электропроводности (электронной или дырочной) в чистые полупроводники вносят определенные примеси, такой процесс называют легированием. Электронно-дырочным переходом называют область на границе двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой дырочную электропроводность.
Если расположить рядом p- и n-полупроводники, то на границе между ними возникнет диффузный ток. IДИФ= IДИФ+ + IДИФ-; IДИФ›› IДР ; IДР= IДР+ + IДР- ; IДИФ + IДР =0. Произойдет это потому, что с одной стороны у нас чересчур много отрицательных зарядов (электронов), а с другой — положительных (дырок). Соответственно, электроны будут перетекать в приграничную область p-полупроводника. А поскольку дырка — место отсутствия электрона, то возникнет ощущение, будто дырки перемещаются в противоположную сторону — к границе n-полупроводника. Попадая в p- и n-области, электроны и дырки рекомбинируют, что приводит к снижению количества подвижных носителей заряда. На этом фоне становятся ясно видны неподвижные положительно и отрицательно заряженные ионы на границах полупроводников (от которых «ушли» рекомбинировавшие дырки и электроны). В итоге получим две узкие заряженные области на границе веществ. Это и есть p-n переход, который также называют запирающим слоем из-за малой концентрации в нем подвижных носителей заряда. ВАХ перехода

 

.

 

Date: 2015-05-09; view: 1666; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию