Порядок проведения измерений

5.1 Подготовка к работе

5.1.1 Из таблицы 2 выписать тип исследуемого диода согласно варианту. Номер варианта выбирается по порядковому номеру рабочего места в лаборатории.

Вызвать пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB) двойным щелчком по ярлыку . Он находится на рабочем столе компьютера.

В закладке диодов выбрать стабилитрон и вывести его на наборное поле.

Рекомендуется "отбуксировать" на наборное поле все компоненты схем 2 и 3 и расставить их в нужном порядке. После этого произвести соединение компонент схемы согласно этим рисункам.

Для выбора конкретного диода выполнить левой клавишей мыши двойной

щелчок по изображению диода и в открывшемся окне выбрать в списке библиотек (слева) библиотеку моделей Philips 1, а в этой библиотеке (список справа) заданный диод.

В закладке диодов нажать кнопку Edit и записать в протокол напряжение стабилизации (показатель VZT) и максимальный ток стабилизации (показатель IZT). Прямой допустимый ток составляет 1000 мА. После чего – «ОК».

Табл. 2. Выбор стабилитрона.

5.1.4 Установить ток источника тока I равным 10 мА.

Для этого установить курсор на изображении генератора тока I 1, дважды щелкнуть левой клавишей. В открывшемся окне (закладка Value) установить необходимый ток с помощью правой клавиатуры и нажать клавишу Enter.

Включить режим моделирования и убедиться в правильной работе схемы, т.е. наличие тока и напряжения на диоде. Если они отсутствуют, то проверить подключение общей точки к схеме, подвигав ее курсором.

5.2 Проведение измерений

5.2.1 Снимите прямую ветвь вольт-амперной характеристики U = f (I) стабилитрона при температуре t₁ = 27⁰С, задавая ток I и записывая напряжение U, показываемое вольтметром V. Ток диода изменяйте от 10 мА до 1000 mА.

Величину напряжения записывать с точностью три знака после запятой.

Результаты измерений внести в таблицу 2.

5.2.2 Установить значение температуры диода t₂ = 57ºС и повторить измерения пункта 5.2.1.

Для установки температуры в меню Analysis выбрать опцию Analysis options.

В открывшемся окне выделить вкладку Global и установить значение Simulation temperature (TEMP) 57 degrees C. Выполнить измерения и установить прежнее значение температуры 27 degrees C.

Результаты измерений свести в таблицу 3.

Табл. 3. Результаты измерений.

5.2.3 Перейдите к схеме рис. 3 для получения обратной ветви ВАХ стабилитрона.

Установить величину сопротивления R = 10 Ом.

Диод использовать тот же, что и в пункте 5.1.1.

Внимание, следите за полярностью включения источника напряжения V и диода D.

Изменяя напряжение источника Е снять обратную ветвь ВАХ стабилитрона I _СТ = ƒ(U _СТ). Рекомендуется следующий ряд напряжений источника Е
0,9·U_СТ, 1,0· U _СТ, 1,1· U _СТ, 1,5· U _СТ, 2· U _СТ, 2,5· U _СТ, и т.д. Напряжение увеличивать до такой величины, пока ток I _СТ не достигнет значения 2000 mA.

Внимание! «0,9· U _СТ» означает, что значение напряжения стабилизации (например 5,2 В) необходимо умножить на 0,9, т.е. 5,2 В·0,9 = 4,7В, далее 5,2 В умножить на 1,0 и т.д., округляя результат до целых долей вольта.

Результатами вычислений заполнить строку «V» таблицы 4.

Результаты измерений свести в таблицу 4.

При записи результатов учитывать максимальное число знаков вольтметра.

5.2.4 Повысить температуру стабилитрона до 57^оС и вновь снять характеристику.

Замечание. Если повышение температуры до 57⁰С не повлияло на смещение

характеристики, то увеличить температуру до 67 или до 77⁰С.