Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Подготовка к работе. Вызвать пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB) двойным щелчком по ярлыкуВызвать пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB) двойным щелчком по ярлыку . Он находится на рабочем столе компьютера и имеет имя «WEWB32». 5.1.1 Вызвать сохраненную схему с транзистором из базы EWB. Транзистор установить такой, для которого проводилась нагрузочная прямая, R К – вычисленное в пункте 3. В цепях базы и коллектора включены приборы для измерения токов I Б и I К и напряжений U БЭ и U КЭ. Сопротивление R б установить равным R К. Напряжение источника V 2 (Е К) установить таким, какое было принято при выполнении пункта 3. Напряжение источника V 1 установить равным V 1 = R б· I бmin + U БЭ. U БЭ = 500мВ, Установить сопротивление R Э = 1 Ом. Внимание. При сборке схемы не пытайтесь установить стрелки и обозначения элементов, приведенные на рис. 19. EWB присвоит им свои обозначения и нумерацию. Следует помнить, что номер элементу присваивается автоматически по мере вывода его на наборное поле. 5.1.2 Включить режим моделирования Убедиться, что схема собрана правильно, т.е. на базе имеется напряжение, равное напряжению V 1, напряжение U КЭ (М3) примерно равно напряжению Е К, ток коллектора (М4) составляет доли мкА (μА). Если что-то не так, то внимательно проверить схему.
5.1.3 Заготовить таблицу 11.
5.2 Проведение измерений 5.2.1 Определение характеристик Увеличивая (или уменьшая) напряжение V 1, установить напряжение на базе (М2) приблизительно равным 500 mВ. Записать полученные значения токов и напряжений в таблицу. Увеличивая далее напряжение V 1, устанавливать ток базы 10 μА, 20 μА Напряжение на базе записывать с точностью три значащих цифры. Табл. 11. Результаты измерений.
Ток базы увеличивать до такой величины, пока ток коллектора не достигнет значения I КНАС или напряжение U КЭ (М3) не окажется менее одного вольта. Увеличить ток базы еще на 40 μА и убедиться, что ток коллектора более не увеличивается, а напряжение U КЭ не уменьшается. 5.2.2 Исследование влияния температуры Установить ток базы равным 60 μА. Установить температуру транзистора равной 57˚С (меню Analysis, опция Analysis options, вкладка Global). Вновь записать полученные значения токов и напряжений "горячего" транзистора в таблицу 12. Табл. 12. Оценка влияния температуры.
Вычислить величину изменений токов и напряжений транзистора под действием изменения температуры вычитая из большего значения меньшее и заполнить строку 4 таблицы.
|