Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Оперативные запоминающиеся устройства





 

Типовая структура БИС ОЗУ выполнена в соответствии с рисунком 5.3.

      а) б)  
Рисунок 5.3 – Типовая структура БИС ОЗУ Рисунок 5.4 – Матрица ячеек памяти

Основным узлом является матрица ячеек памяти (МЯП), состоящая из n строк с т запоминающими ячейками (образующи­ми разрядное слово) в каждой строке. Информационная емкость БИС памяти определяется по формуле N=nm бит.

Входы и выходы ячеек памяти подключаются к адресным шинам (АШ) и разрядным шинам (РШ). При записи и считывании осуществляет­ся обращение (выборка) к одной или одновременно к нескольким ячейкам памяти. В первом случае используются двухкоординатные матрицы в соответствии с рисунком 5.4, (а), во втором случае матрицы с пословной выборкой (рисунок 5.4,(б)).

Дешифратор адресных сигналов (ДАС) при подаче соответству­ющих адресных сигналов осуществляет выбор требуемых ячеек памяти. С помощью РШ осуществляется связь МЯП с буферными усилителями записи (БУЗ) и считывания (БУС) информации. Схема управления записью (СУЗ) определяет режим работы БИС (запись, считывание, хранение информации). Схема выбора крис­талла (СВК) разрешает выполнение операций записи-считывания данной микросхеме. Сигнал выборки кристалла обеспечивает выбор требуемой БИС памяти в ЗУ, состоящем из нескольких БИС.

Подача управляющего сигнала на вход СУЗ при наличии сигнала выборки кристалла на входе (СВК) осуществляет операцию записи. Сигнал на информационном входе БУЗ (1 или 0) определяет записываемую в ячейку памяти информацию. Выход­ной информационный сигнал снимается с БУС и имеет уровни, согласующиеся с серийными ЦИС.

Большие интегральные схемы ОЗУ строятся на основе простейших элементов ТТЛ, ТТЛШ, МДП, КМДП, И2Л, ЭСЛ, модифицированных с учетом специфики конкретных изделий. В динамических ячейках памяти чаще всего используются накопи­тельные емкости, а в качестве ключевых элементов — МДП транзисторы.

Выбор элементной базы определяется требованиями к инфор­мационной емкости и быстродействию БИС памяти. Наибольшей емкости достигают при использовании логических элементов, занимающих малую площадь на кристалле: и2л, МДП, динами­ческих ЗЯ. Высоким быстродействием обладают БИС с логически­ми элементами, имеющими малые перепады логических уровней (ЭСЛ, И2Л), а также логические элементы ТТЛШ.

Частотные области применения БИС, использующих различные базовые технические решения, приведены в соответствии с рисунком 5.5.

Рисунок 5.5 – Максимальные частоты переключения БИС различных типов

 

Благодаря развитию технологии и схемотехники быстродействие элементов непрерывно возрастает, поэтому границы раздела указанных областей с течением времени сдвигаются в область больших рабочих частот.

 

Date: 2015-05-09; view: 659; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию