Фотоэлектрические и излучающие приборы

Фотоэлектрическими называют приборы для преобразования лучистой энергии в электрическую энергию. Обратное преобразо­вание энергии осуществляют излучающие приборы. Фотоэлектри­ческие приборы широко используются в качестве приемников электромагнитных излучений оптического диапазона:

– инфракрасного l = от 300 до 0,78 мкм, n = от 10¹² до 4×10¹⁴ Гц;

– видимого l = от 0,78 до 0,38 мкм, n = от 4×10¹⁴ до 7,6×10¹⁴ Гц;

– ультрафиолетового l = от 0,38 до 0,01 мкм, n = от 7,6×10¹⁴ до 10¹⁶ Гц.

Принцип действия фотоэлектрических приборов основан на использовании явлений внутреннего или внешнего фотоэффектов.

Внутренний фотоэффект наблюдается в полупроводниках и диэлектриках. В них под действием излучения происходит возбуждение электронов. Переход электронов на более высокий энергети­ческий уровень приводит к изменению концентрации свободных носителей заряда и, следовательно, электрических свойств ве­щества. При воздействии лучистой энергии на полупроводник у части валентных электронов увеличивается энергия настолько, что они преодолевают запрещенную зону и переходят в зону проводимости.

Лучистая энергия излучается и поглощается веществом в виде квантов (фотонов). Энергия кванта

(1.97)

где h = 6,6×10^-34 Дж×с — постоянная Планка;

n - частота излучения;

с - скорость света;

l - длина волны излучения.

Если в (1.99) принять, что энергия кванта измеряется в эВ, а длина волны – в мкм, то формула примет простой вид

. (1.98)

Внутренний фотоэффект возникает, если энергия кванта E_КВ превышает ширину запрещенной зоны E_g радиоматериала. Например, для проявления внутреннего фотоэффекта в германии требуется E_КВ > 0,67 эВ.

При уменьшении частоты излучения наступает порог фотоэффекта, когда n₀ = E_g / h. Длину волны, соответствующую частоте n₀, называют границей фотоэффекта. Для германия эта граница лежит в инфракрасной области:
l₀ = 1,7 мкм. В диэлектриках внутренний фотоэффект проявляется слабее, так как они имеют большую ширину запрещенной зоны.

В металлах лучистая энергия оптического диапазона воздействует только на свободные электроны и не приводит к изменению их концентрации, поэтому внутренний фотоэффект отсутствует.

Внутренний фотоэффект используется в фоторезисторах, фотодиодах, фототранзисторах.

Внешний фотоэффект может наблюдаться в любых веществах. Он основан на явлении фотоэлектронной эмиссии, при котором происходит выход электронов за пределы поверхности веществ под действием излучения. Например, у металлов внешний эффект проявляется, если энергия кванта E_KВ превысит работу выхода электрона из металла А. Для цезия E_KВ должна быть не менее
1,2 эВ, для золота — 5 эВ.

Внешний эффект используется в электронных и ионных фотоэлементах, в фотоэлектронных умножителях.

Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.

Люминесценцией называют избыточное по сравнению с тепло­вым излучение и характеризуемое длительностью, значительно превышающей период световых колебаний. При люминесценции эмиттируется некогерентное оптическое излучение с относительно широким спектром (около 10^-2 мкм).

Для возникновения люминесценции к полупроводнику подключают внешний источник энергии с целью его перехода в возбужденное состояние. Возбужденному состоянию полупровод­ника соответствует образование неравновесных концентраций свободных частиц: электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне.

Явление люминесценции широко используется в некогерентных излучающих полупроводниковых приборах.

Явление индуцированного излучения лежит в основе работы квантовых приборов. Длительность индуцированного излучения близка к периоду световых колебаний (примерно 10^-15 с). Индуцированное излучение отличается когерентностью и узким спектром (менее 10^-5 мкм).

На практике широко используются методы возбуждения полупроводникового кристалла, содержащего электронно-дыроч­ный переход: инжекцию неосновных носителей под действием внешнего источника напряжения, включенного в прямом направ­лении; лавинный пробой в p-n-переходе при подключении обрат­ного напряжения и др.

Обычно в полупроводниках наряду с излучательными перехо­дами наблюдаются также переходы безызлучательные, поэтому энергия, затрачиваемая на возбуждение полупроводника, лишь частично превращается в энергию люминесцентного излучения. Эффективность процесса люминесцентного излучения определяет­ся отношением выделяемой лучистой энергии к полной энергии возбуждения. Эффективность люминесценции тем выше, чем больше число локальных уровней, участвующих в излучательных переходах, и чем ближе они расположены к границам соответствующих зон, т. е. легче захват электронов и дырок.

Излучательные переходы могут происходить, например, в результате рекомбинации электронов, захваченных на примесный уровень вблизи дна зоны проводимости с дырками в валентной зоне, или в результате рекомбинации дырок, находящихся на локальных уровнях вблизи потолка валентной зоны с электронами из зоны проводимости.

Широко распространенным излучающим прибором является светодиод. В качестве материалов для изготовления светодиодов используются соединения карбида кремния SiC, фосфид галлия GaP, арсенид галлия GaAs. Спектр излучения зависит от ширины запрещенной зоны используемого материала, а также от рода и концентрации примесей. Например, для арсенида галлия E_g = 1,42 эВ, а максимум спектральной характеристики лежит в инфракрасной области спектра (l» 0,9 мкм); светодиоды из карбида кремния излучают желтый цвет (l» 0,6 мкм). Использование совокупности люминесцирующих кристаллов позволяет синтезировать знаковые индикаторы.

Объединение излучателя и приемника света в одном изделии позволяет реализовать прибор, получивший название оптрон. Простейший оптрон состоит из светодиода и фотодиода, размещенных в общем корпусе. Кроме диодных оптронов электронной промышленностью выпускаются резисторные, транзисторные и тиристорные оптроны. Однонаправленность светового луча от источника света к приемнику позволяет создавать управляемые электронные элементы, у которых цепь управления электрически развязана от входной цепи, так как связь между указанными цепями осуществляется оптически.

Электрическая изоляция входа от выхода позволяет с по­мощью низких напряжений управлять высокими, осуществлять развязку низкочастотных и высокочастотных цепей, выполнять высококачественные электронные реле и коммутаторы.

УГО фотоэлектрических и излучающих приборов и примерный вид их основных характеристик приведены в таблице 1.11.

Таблица 1.11 – Основные типы и характеристики оптоэлектронных приборов

Наименование	УГО	Основные характеристики
Фоторезистор (общее обозначение)
Фотодиод
Продолжение таблица 1.11 Фототиристор
Фотоэлемент
Светодиод
Фототранзистор типа n-p-n
Диодный оптрон
Тиристорный оптрон
Прибор электронный с фототранзистором

Особую группу индикаторных приборов составляют жидко­кристаллические индикаторы. В этих приборах используются вещества, имеющие свойства, промежуточные между свойствами твердого кристалла и жидкости. Эти свойства проявляются в том, что в определенном диапазоне температур вещество может образовывать капли, не имеет формы для большого объема и, кроме этого, обладает анизотропией различных свойств: характе­ризуется различными для разных направлений сопротивлениями, диэлектрическими постоянными показателями преломления и др.

Особенность жидкокристаллических веществ заключается в наличии стержневидных молекул, способных располагаться параллельными цепочками (в диапазоне температур от 5 до 55° С), образуя упорядоченную кристаллическую структуру. Под действием элект­рического поля в жидких кристаллах нарушается ориентация молекул. При этом в веществе возникает эффект динамического рассеяния, сопровождающийся изменением прозрачности жид­кости. Этот эффект используется для создания индикаторов.

В отличие от других типов индикаторов жидкокристаллические индикаторы не испускают свет. Для работы жидкокристалличе­ских индикаторов необходимы источники проходящего либо отраженного света. Устройство индикатора, работающего в отраженном свете, выполнено в соответствии с рисунком 1.65.

Рисунок 1.65 – Структура жидко-кристаллического индикатора

1 – зеркальный электрод; 2 – слой жидкокристаллического вещества;

3, 4 – про­зрачные электроды; 5, 6 – стеклянные пластины

Нижний электрод 1 имеет зеркальную поверхность, хорошо отражающую свет. В качестве источника падающего света может служить естественное освещение. Верхние прозрачные электроды 3, 4 являются сегментами знаков, каждый из них имеет свой вывод. Для получения изображения на электроды — сегменты подаются напряжения относительно нижнего электрода. При этом прозрачность жидкости под этими электродами уменьшается и таким образом формируется определенный знак либо мнемосхема (условно-графическое изображение объекта, информации, процесса и др.).

Перспективной разновидностью жидкокристаллических индика­торов являются индикаторы, использующие эффект вращения плоскости поляризации света под действием электрического поля. Приложенное электрическое поле вызывает поворот осей молекул вокруг их центров параллельно вектору электрического поля. При этом участок, находящийся в скрещенных поляризаторах, стано­вится темным, непрозрачным, а в параллельных поляризаторах — светлым, прозрачным.

Эффективность работы жидкокристаллических индикаторов оценивается контрастом. Этот показатель определяется отноше­нием интенсивности света, проходящего через индикатор при отсутствии напряжения, к интенсивности света, прошедшего сквозь рассеивающий жидкий кристалл при подаче напряжения. С увеличением управляющего напряжения выше порогового наблю­дается монотонное возрастание значения контраста, который может достигать от 20 до 50 раз.

Жидкокристаллические индикаторы, использующие эффект вращения плоскости поляризации, обладают малым потреблением энергии, что обеспечивает хорошую согласованность с интеграль­ными схемами, и имеют высокие значения контраста при меньших напряжениях по сравнению с индикаторами с динамическим рассеянием. Основные параметры рассмотренных типов жидко­кристаллических индикаторов сведены в таблице 1.12.

Таблица 1.12 – Основные параметры жидкокристаллических индикаторов

Жидкокристаллические индикаторы находят широкое примене­ние в электронных часах, микрокалькуляторах и микроЭВМ, в системах контроля и управления. Вследствие малого энергопотреб­ления использование их особенно перспективно в устройствах с ограниченным запасом питания.

Контрольные вопросы к разделу 1