Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Токи в полупроводниках
Электрический ток в полупроводниках формируется двумя типами носителей и может возникать по двум основным причинам: - из-за движения носителей зарядов под действием сил внешнего электрического поля; - из-за движения заряженных частиц в результате диффузии, возникающей вследствие градиента концентрации носителей, т.е. их неравномерного пространственного распределения. Ток, обусловленный электрическим полем называется дрейфовым током или током проводимости. Если к полупроводнику приложить внешнее электрическое поле, то в нем наблюдается направленное движение дырок вдоль поля и направленное движение электронов в противоположном направлении. Суммарный дрейфовый ток электронов и дырок определяется законом Ома в дифференциальной форме . (1.19) где S – площадь поперечного сечения полупроводника. Диффузионный ток возникает вследствие перемещения носителей заряда из области с высокой концентрацией в область с более низкой концентрацией, т. е. обусловлен наличием градиента концентрации (dn/dx – градиент концентрации электронов; dp/dx – градиент концентрации дырок). Суммарный диффузионный ток электронов и дырок определяется соотношением , (1.20) где Dn и Dp – коэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно. Коэффициент диффузии равен числу носителей заряда, диффундирующих за одну секунду через единичную площадку при единичном градиенте концентрации. Знак «минус» в формуле означает, что диффузия происходит в направлении уменьшения концентрации, а так как дырки имеют положительный заряд, то диффузионный ток будет положительным при dp/dx<0. Коэффициенты диффузии зависят от типа полупроводника, концентрации примесей, температуры и состояния кристаллической решетки. Например, при комнатной температуре для германия Dn» 100 см2/с, Dр» 47 см2/с для кремния Dn» 30 см2/с, Dp»13cм2/c. Коэффициент диффузии связан с подвижностью носителей заряда соотношениями Эйнштейна: (1.21) , (1.22) где – тепловой потенциал. Общий ток в полупроводнике может содержать четыре составляющие . (1.23) В состоянии равновесия общий суммарный ток в любой точке полупроводника и для любого момента времени всегда равен нулю.
|