Указания по выполнению работы в лаборатории. Исследуемые терморезисторы типа ММТ-4; KMT; CT1-18 помещены в муфельную печь-термостат, внутри которой температура контролируется электронным термометром

Исследуемые терморезисторы типа ММТ-4; KMT; CT1-18 помещены в муфельную печь-термостат, внутри которой температура контролируется электронным термометром. Изучение конструкций терморезисторов производится визуально. Для этого они смонтированы на специальной плате, которая вынимается из термостата на длину, допускаемую соединительными проводами.

Примечание: категорически запрещается открывать дверцу термостата в процессе нагрева и при включенной в сеть установке.

Нагрев варистора до заданных температур осуществляется включением термостата в сеть переменного тока 220 В с последующим контролем температуры по термометру. Регулирование температуры в термостате осуществляется вручную посредством регулирования напряжения на нагревательном элементе реостатом и тумблером включения. Во избежание перегрева рекомендуется отключать термостат за 5–10 градусов до требуемой температуры.

Электрическая схема лабораторной установки исследования основных характеристик терморезисторов соответствует функциональной схеме, приведенной на рис. 2.2, и смонтирована в блоке, на лицевую панель которого выведены вольтметр V и миллиамперметр mА, переключатель исследуемых терморезисторов SA4, регулятор тока RI, тумблер SA1 подачи питания на установку и лампочка HL1 индикации о включенном питании, тумблеры SA2, SA3 пере­ключения пределов измерения миллиамперметра и вольтметра соответственно.

Рис. 2.2. Функциональная схема лабораторной установки:

SA1 – выключатель питания; HL1 – лампа сигнализаций включения питания;
ИТ – источник постоянного тока; RI – регулятор тока; R_Д – добавочный резистор; SA2, SA3 – переключатели пределов измерения миллиамперметра mA
и вольтметра V cоoтветственно; SA4 – переключатель исследуемых терморезисторов;
R1, R2, R3 – исследуемые терморезисторы CT1-19, KMT, ММТ-4 соответственно.

Содержание отчета

1. Титульный лист.

2. Цель работы и краткая теория (1–2 с.).

3. Исходные данные и данные эксперимента.

4. Расчетные графики температурной зависимости сопротивления терморезисторов R(T) для трех значений температуры.

5. Расчет постоянных В и ТКС для температуры Т_раб, заданной преподавателем.

6. ВАХ U(I) и графики зависимости R(P) терморезистора, заданного преподавателем, для трех значений температуры.

7. Определенная графическим путем точка саморазогрева тер­морезис­торов и максимальная мощность рассеивания.

8. Расчетные значения дифференциальных сопротивлений RД терморезистора для трех значений температуры.

9. Выводы.

Контрольные вопросы

1. Пояснить физические основы зависимости электропроводности полупроводниковых материалов от температуры.

2. В чем отличие поликристаллических терморезисторов от монокристаллических по параметрам?

3. В чем отличие поликристаллического полупроводника от монокристаллического по структуре и свойствам?

4. Материалы и свойства позисторов.

5. Конструкции и технологии изготовления терморезисторов.

6. Основные параметры и характеристики терморезисторов.

7. Область применения терморезисторов.

8. Понятие вольтамперной характеристики и ее практическая ценность.

9. Понятие статических характеристик.