Задание. 1. Изучить конструкции терморезисторов типа КМТ, ММТ, СТ-1

1. Изучить конструкции терморезисторов типа КМТ, ММТ, СТ-1. Изучить указания по выполнению работы в лаборатории. Взять исходные данные в соответствии с номером бригады из табл. П.2 приложения.

2. Снять вольт-амперные характеристики терморезисторов (по 6 то­чек для КМТ и ММТ, для СТ-1 – 4 точки) при комнатной температуре ок­ружающей среды Т₀.

Примечание:при снятии ВАХ терморезисторов токи через них
не должны превышать:

а) 1,5 mА (для терморезистора КМТ);

б) 2 mA (для терморезистора ММТ-4);

в) 0,2 mА (для терморезистора СТ1-18).

3. Снять вольтамперные характеристики терморезисторов (по 6 то­чек для КМТ и ММТ, для СТ-1 – 4 точки) для температур Т₂ и Т₃, заданных преподавателем (табл. П.2 приложения).

4. Рассчитать статические сопротивления исследуемых терморезисторов в соответствии с законом Ома (2.10).

5. Построить температурные зависимости сопротивления R(T) исследуемых терморезисторов (R брать при I = const!). Графическим путем определить точку саморазогрева терморезисторов и максимальную мощность рассеивания.

* Жирным шрифтом выделены задания, которые необходимо выполнить непосредственно на лабораторной установке.

6. Для рабочего участка ВАХ терморезистора (до точки саморазогрева U_max) рассчитать постоянные В и ТКС для всех исследуемых терморезисторов (допускается принять R_To = R_Tкомн) для температуры Т_раб, заданной преподавателем.

Для указанного преподавателем в табл. П.2 приложения терморезистора:

7. По результатам экспериментальных данных построить зависимости U(I) и R(P) (по формулам (2.8) и (2.9)) терморезистора для температур Т ₀, Т ₂ и Т ₃.

8. По экспериментальным данным найти дифференциальные сопротивления Rд терморезистора для температур Т ₀, Т ₂ и Т ₃ в середине рабочего участка ВАХ терморезистора.