Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Порядок выполнения работы. 3.1. Исследовать особенности работы светоизлучающих диодов в следующей последовательности⇐ ПредыдущаяСтр 17 из 17
3.1. Исследовать особенности работы светоизлучающих диодов в следующей последовательности. 3.1.1. Собрать схему для исследования СИД видимого излучения. Для чего потенциометр R 3 установить в крайнее левое положение (U пр = 0), затем к гнездам X1, X2 подключить миллиамперметр М2015 (предел измерения «15 мА») и к гнездам X0, X3 цифровой вольтметр (предел измерения «1 В»). 3.1.2. Подать напряжение +12 В на испытательный стенд, включив тумблер питания на лицевой панели лабораторного стенда. 3.1.3. Изменяя потенциометром R 3 величину тока I с от 0 до I с.ном в соответствии с табл. 6.1, контролировать величину падения напряжения на СИД U пр с точностью до 0,01. Результаты измерений U пр занести в табл. 6.1. 3.1.4. Повторить пп. 3.1.1¸3.1.3 для светодиода инфракрасного излучения. При этом миллиамперметр подключается в гнёзда X1, X2, а вольтметр в гнёзда X0, X5. Таблица 6.1
3.1.5. По результатам измерений построить ВАХ для обоих светодиодов в одних координатных осях. 3.2. Исследовать особенности работы фоторезистора. 3.2.1. В гнездо ввода светового потока к фоторезистору установить светодиод видимого излучения и регулятором R 3 сделать ток I с = 0. В этом случае световой поток, воздействующий на фоторезистор будет темновым Ф = 0, а фоторезистор будет иметь максимальное темновое сопротивление R т более 100 кОм. 3.2.2. Подключить к гнездам Х0, Х6 цифровой вольтметр, предварительно установив режим работы «измерение R» и предел измерения сопротивления «100 кОм». При этом миллиамперметр должен быть отключен и, следовательно, цепь питания фоторезистора должна быть разомкнута. 3.2.3. Снять зависимость изменения сопротивления R ф от величины светового потока Ф = k × I с, т.е. зависимость R ф = f (Ф º I с). Для этого, изменяя дискретно величину тока I С от 0 до I Cmax, согласно табл. 6.2, контролировать величину сопротивления R ф. Результаты измерений занести в табл. 6.2.
Таблица 6.2
3.2.4. Сменить тип источника светового потока (заменить светодиод видимого излучения светодиодом ИК диапазона) и повторить п. 3.2.3. По результатам измерений построить графики зависимостей R ф1 = f (I с) и R ф2 = f (I с), сравнить их и сделать соответствующие выводы. 3.2.5. Снять семейство вольт-амперных характеристик фоторезистора, т.е. зависимость I ф = f (U ф) при различных значениях потока, для чего: а) в качестве источника света использовать СИД видимого излучения и регулятором тока I с установить световой поток Ф1 = 0, а затем Ф2 º k × I сmax; б) цифровой вольтметр переключить в режим измерения постоянного напряжения (предел измерения «10 В»). К клеммам Х7, Х8 подключить микроамперметр (предел измерения «100 мкА»), замкнув тем самым цепь питания фоторезистора; в) установив световой поток Ф1, изменять с помощью потенциометра R 4 величину напряжения U ф на фоторезисторе с определенным шагом и при этом контролировать фототок I ф1. Результаты измерений занести в табл. 6.3. г) установить максимальный световой поток Ф2 = Фmax = k × I Cmax и повто-рить п. 3.2.5, в для фототока I ф2. Предел измерения микроамперметра при необходимости переключить на «10 мА»;
Таблица 6.3
д) по результатам измерений построить ВАХ фоторезистора и определить его основные параметры. 3.3. Исследовать особенности работы фотодиода в режиме фотогенератора в следующей последовательности. 3.3.1. Собрать схему для исследования фотодиода, для чего установить источник света в гнездо фотодиода, подключить цифровой вольтметр (предел измерения «10 В») и микроамперметр (предел измерения «100 мкА»). Переключатель S 1 поставить в положение «ФГ» и тем самым отключить источник питания от схемы. Потенциометр R 5 поставить в крайнее левое положение. 3.3.2. Установить ток светодиода I с1 = 5 мА и, изменяя потенциометром R 5 величину фототока I фmin до I фmax = I ф К.З., контролировать по вольтметру величину фото-ЭДС E ф1, генерируемую фотодиодом. Результаты измерений занести в табл. 6.4. Таблица 6.4
3.3.3. Установить ток светодиода I с2 = 10 мА, а затем I c3 = 20 мА и повторить п. 3.3.2. 3.4. Исследовать особенности работы фотодиода в режиме фотопреобразователя, для чего переключатель S 1 поставить в положение «ФП», при этом к фотодиоду подключается внешний источник напряжения, запирающей полярности. 3.4.1. Изменить полярность подключения вольтметра (предел измере-ния «10В»), и установить темновой поток Ф = Фт = 0, снизив ток I с до нуля. Регулятор R 5 поставить в крайне правое положение, в котором R 5 = 0. 3.4.2. Снять темновую ВАХ фотодиода, для чего измерять регулятором R 6 величину обратного напряжения на фотодиоде U обр от 0 до U ОБР max» 12 В и по микроамперметру (предел измерения «10» или «100 мкА») контролировать величину тока I ф. Результаты измерений занести в табл. 6.5 в графу I О.
Таблица 6.5
3.4.3. Снять семейство ВАХ фотодиода в режиме преобразования, для чего последовательно изменять световой поток Ф = const, устанавливая ток светодиода I св = 5 мА; 10 мА и 20 мА в соответствии с табл. 6.5, и при каждом значении тока I с повторить п. 3.4.2. Результаты измерений занести в табл. 6.5. 3.4.4. Исследовать влияние ИК светодиода на чувствительность фотодиода. Сменить источник светового потока, заменив обычный светодиод ИК светодиодом, затем установить ток I сВ = 20 мА и аналогично п. 3.4.2 снять ВАХ фотодиода. Результаты занести в табл. 6.5 в графу ИК СД. 3.5. По результатам исследований (табл. 6.4 и 6.5.) построить в одних координатах общее семейство ВАХ фотодиода. По характеристикам определить основные параметры ФД и сделать выводы.
Содержание отчета
4.1. Исследуемые схемы. 4.2. Экспериментальные данные в виде таблиц. 4.3. Графики полученных зависимостей. 4.4. Краткие выводы по результатам исследования.
Контрольные вопросы
5.1. Назовите основные характеристики фотоэлементов. 5.2. Какие ограничения по току и напряжению существуют для фотоэлементов? 5.3. Какой фотоэлемент допускает изменение полярности приложенного напряжения? 5.4. Что представляет собой оптопара или оптрон? 5.5. Укажите достоинства оптронов и области их применения.
СОДЕРЖАНИЕ
Стр.
Черепенин Филипп Веденеевич Сковпень Сергей Михайлович «Электроника» Методические указания к выполнению лабораторных работ Раздел I. «Элементная база электроники»
Редактор Манойленко А.Н. Корректор Примакова Т.Л. Компьютерный набор и верстка Сковпень С.М.
Лицензия 99 М (ОЗ), ЛР № 020967 от 07.03.1995 г.
Сдано в производство 23.02.2008 г. Подписано в печать 18.03.2008 г. Формат 60х84/16. Бумага типографская. Усл. печ. л. 2,7. Заказ № 086. Тираж 20 экз. Темплан 2008 г. Изд. № 85.
Редакционно-издательский отдел Севмашвтуза ¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾ 164500, г. Северодвинск, ул. Воронина, 6
|