Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Порядок выполнения работы. 3.1. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики диода





 

3.1. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики диода.

Прямая ветвь ВАХ диода, т.е. зависимость прямого тока I ПР от напряжения U ПР снимается с помощью схемы, расположенной в левой верхней части лабораторного стенда (рис. 1.2, а).

3.1.1. Собрать схему для снятия ВАХ диодов, включив измерительные приборы и генератор тока в соответствующие гнезда стенда, соблюдая полярность: миллиамперметр Ф195, переключатель пределов измерений которого должен быть предварительно установлен в положение «10 мА», включается в гнезда Х3 и Х4; цифровой вольтметр, предел измерения которого должен быть установлен в положение «1 В» постоянного напряжения, включается в гнезда Х5 и Х6; с помощью соединительных проводов, расположенных в верхней части лабораторной панели, подключить генератора тока ГТ к соответствующим клеммам источника питания лабораторной установки.

Внимание: строго соблюдать полярность подключения ГТ; регуляторы ГТ «грубо» и «точно» установить в крайнее левое положение.

3.1.2. Включить источник питания.

3.1.3. Регулируя ручками «грубо» и «точно», расположенными на корпусе источника питания лабораторной установки, величину выходного тока ГТ в диапазоне от 0 до 10 мА снять 10¸12 точек прямой ветви ВАХ германиевого и кремниевого диодов.

Диод выбирается с помощью переключателя S, расположенного на стенде. В положении переключателя, помеченном буквой «К», подключается кремниевый диод, в положении «Г» - германиевый диод.

3.1.4. Результаты измерений занести в табл. 1.1.

 

Таблица 1.1

I ПР, мА   0,02 0,05 0,1 0,2 0,3 0,5 1,0 ¼  
  U ПР, В Германиевый диод                    
  Кремниевый диод                    

 

3.2. Исследование обратной ветви вольт-амперной характеристики диода.

Обратная ВАХ диода, т.е. зависимость обратного тока I ОБР от обратного напряжения U ОБР снимается с помощью схемы, расположенной в правой части лабораторного стенда (см. рис. 1.2, б).

3.2.1. Собрать схему для снятия обратной ВАХ диода, включив измерительные приборы и генератор напряжения ГН2 в соответствующие гнезда стенда, соблюдая полярность:

- предел измерения микроамперметра Ф195 установить в положение «10 мкА» при исследовании кремниевого диода. Затем подключить его к гнездам Х9 и Х10;

- предел измерения цифрового вольтметра переключить в положение «10 В» и подключить его к гнездам Х10 и Х11;

- регуляторы источника напряжения ГН2 «грубо» и «точно» установить в минимальное положение (крайнее левое) и с помощью соединительных проводов подключить источник ГН2 к испытательному стенду.

Регулируя ручками «грубо» и «точно» величину выходного напряжения ГН2 в диапазоне от 0 до 15 В снять 10¸12 точек обратной ветви ВАХ германиевого и кремниевого диодов. Шаг измерения D U ОБР можно выбирать произвольно. Результаты измерений занести в табл. 1.2.

Таблица 1.2

U ОБР, B           ¼  
  I ОБР, мкА Германиевый диод              
  Кремниевый диод              

 

3.3. Построить графики зависимостей I ПР = f (U ПР) и I ОБР = f (U ОБР) в одних координатных осях (аналогично рис. 1.1): положительная полуось абсцисс - U ПР, положительная полуось ординат I ПР; отрицательная полуось абсцисс - U ОБР, отрицательная полуось ординат - I ОБР. Шкалы на полуосях (положительной и отрицательной) выбираются не одинаковыми.

3.4. По полученным экспериментальным данным определить основные эксплуатационные параметры исследованных диодов: I Н; U ПР; R ОТП, R ЗАП; U ВКЛ, I О для германиевых и кремниевых диодов.

3.5. Сопоставить полученные данные и сделать выводы.

 

 

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

 

4.1. Схема исследования.

4.2. Таблицы, графики зависимостей I = f (U).

4.3. Расчетные параметры и выводы по результатам исследований.

 

 

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

 

5.1. Какова структура и принцип работы диода?

5.2. Чем обусловлены вентильные свойства диода?

5.3. При каких условиях диод отперт (заперт)?

5.4. Чем отличаются параметры диода в схемах на рис. 1.2 и почему?

5.5. Как влияет температура на величину тока I ОБР и почему?

5.6. Поясните, как определялись основные параметры диода?

5.7. Поясните работу диода в простейших схемах заданных преподавателем.

 

 


Date: 2015-05-08; view: 592; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.007 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию