Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Семейство выходных характеристик биполярного транзистора
Выходные характеристики отображают зависимость входного тока транзистора от Ic от выходного напряжения Vce при различных значениях тока базы Ib. Схема включения транзистора, при которой производится измерение его выходных характеристик, представлена на Рис. 4.1, а.
а) б)
Рис. 4.1
Для обеспечения рабочего режима транзистора к базе подключен источник постоянного тока I 1, а к коллектору источник постоянного напряжения V 1, запирающего переход К-Б. Для построения семейства выходных характеристик при каждом из заданных значений тока базы в схеме на рис. 4.1, а варьируется напряжение Vce (в заданных пределах через определенный интервал).
Источник тока выбирается по команде Component > Analog Primitives > Waveform Sources > I sources с заданной величиной VALUE 150 uA. Транзистор заданного преподавателем типа назначается по команде Component > Analog Primitives > Active Devices > NPN>…
Например: 2N2102.
Созданная принципиальная схема сохраняется по команде Files > Save as, а по команде Analisys > DC происходит переход в режим анализа схемы по постоянному току.
В окне задания на расчет DC Analysis Limits (Рис. 4.2) в строке Variable 1 указывается имя варьируемого параметра схемы I 1 (ток базы), а в строке Range – диапазон и шаг (150uA, 30uA,40uA), в строке Variable 2 указывается имя варьируемого параметра схемы V 1 (напряжение источника), а в строке Range – диапазон и шаг (10V, 0, 0.1V).
По оси X откладывается напряжение коллектор-эмиттер транзистора Vce (Q 1), по оси Y – ток коллектора Ic (Q 1).
Рис. 4.2
При активизации клавиши RUN выполняется построение заданных графиков (Рис. 4.3).
Рис. 4.3
На графике выходной характеристики при заданном токе Ib для заданного напряжения Vce с помощью активной кнопки 
наносятся значения координат первой выбранной точки. На графике другой выходной характеристике при токе (Ib+ΔIb) для того же заданного напряжения Vce наносятся значения координат второй выбранной точки. Величины Ib, Δ Ib, Vce задаются преподавателем.
По полученным при измерении данным определяются статический и динамический коэффициенты усиления транзистора.
Исходные, измеренные и расчетные данные заносятся в таблицу 4.1.
Таблица 4.1
| Vсe Ib ΔIb | Ic ΔIc | B β |
Значения параметров транзистора B, β рассчитанные по выходным характеристикам, сравниваются с аналогичными полученными по входной и передаточной характеристикам.
Каждая выходная характеристика из семейства имеет две характерные области: пологую и крутую.
В пологой области величина коллекторного тока Ic практически не зависит от коллекторного напряжения Vce и определяется соотношением
Ic = β Ib
В схеме на рис 4.1, б при R 1 = 0 всё напряжение источника V 1 прикладывается к коллектору Vce = V 1. С ростом сопротивления R 1 за счет падения напряжения на резисторе
Vce = V1 – U (R 1) = V 1 – Ic·R 1
и рабочая точка смещается влево по пологой области выходной характеристики.
На границе крутой и пологой областей практически всё напряжение источника V 1 прикладывается к резистору R 1.
В крутой области выходной характеристики справедливо Vce << Ic·R 1 и можно принять V 1 ≈ Ic·R 1. Ток Ic рассчитывается из соотношения Ic = V 1 / R 1. Рост величины R 1 приводит к уменьшению тока Ic и смещению рабочей точки транзистора вниз по крутой области выходной характеристики.
Крутая область называется областью насыщения транзистора.
Задание
В схеме рис. 4.1, б для каждого из заданных значений R 1 при известных токе базы Ib и напряжение V 1 определить ток Ic, напряжение Vce и падение напряжения на резисторе U (R 1), используя совместные вольтамперные характеристики транзистора и нагрузочного резистора R 1 (см. рис. 4.4).
Рис. 4.4
Исходные и полученные данные следует свести в таблицу 4.2.
Таблица 4.2.
| V1, В | Ib, мкА | R1 | Iс, мкА | Vce, В | U(R1), В |
Содержание
Лабораторная работа №1.Статические характеристики полупроводниковых диодов.....................................................................................................................3
Лабораторная работа № 2. Влияние температуры на вольтамперные характеристики диодов. Однополупериодный диодный выпрямитель......................11
Лабораторная работа №3. Входная и передаточная характеристики биполярного транзистора.................................................................................................16
Лабораторная работа № 4. Семейство выходных характеристик биполярного транзистора...........................................................................................................22
Date: 2015-05-08; view: 1034; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА... |