Исследование параметров транзисторов с ОБ

2.1. Снимем входную характеристику транзистора с ОБ. Для этого тумблер SA1 поставим в положение «ОБ», SA4 – в положение «U_к» и с помощью потенциометра U_к установим по включенному в гнездо Г1 мультиметру M-838 напряжение U_к = 5 В. Переведем тумблер SA4 в положение U_бU_э, изменяя ток I_э с помощью переключателя SA3, снимем входную характеристику транзистора с ОБ (зависимость I_э от U_бэ) таблица 3. По результатам таблици 3 построим график Рис. 7.

2.2. Снимем семейство выходных характеристик транзистора с ОБ (зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база при различных токах эмиттеров). Для этого тумблер SA4 поставим в положение «U_к» и, изменяя величину напряжения на коллекторе с помощью потенциометра U_к, а полярность – с помощью тумблера SA5, снимем зависимость тока коллектора I_к от U_к при различных токах эмиттера, устанавливаемых с помощью переключателя SA3 таблица 4. По результатам таблицы 4 построим график Рис. 8.