Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Полевой транзистор
С ox – удельная емкость подзатворного диэлектрика
I с I D – ток стока
I з I G – ток затвора
I DS – ток канала исток-сток
R 0 – омическое сопротивление
R i – внутреннее сопротивление
S – крутизна характеристики
U зи U GS – напряжение затвор‑исток
U си U DS – напряжение исток – сток
U зс U DG – напряжение сток – затвор
U ЗИ пор U пор U GS (th) V T – пороговое напряжение
U ЗИ отс U отс U GS (off) – напряжение отсечки
V ox – падение напряжения на окисном слое
V Т - пороговое напряжение
V SS – напряжение, приложенное к подложке
m – коэффициент усиления
Тепловые параметры
R thja – общее тепловое сопротивление диода или транзистора
R thjc – тепловое сопротивление переход – корпус транзистора
R thca – тепловое сопротивление корпус – окружающая среда
КНИ K f – коэффициент нелинейных искажений
Приложение
Физические параметры важнейших полупроводников
| Параметр | Обозначение | Si | Ge | GaAs | InSb | |
| Ширина запрещенной зоны, эВ | 300 К | E g | 1,12 | 0,66 | 1,43 | 0,18 |
| 0 К | 1,21 | 0,80 | 1,56 | 0,23 | ||
| Подвижность при 300 К, см2∙В-1∙с-1 | электронов | μ n | ||||
| дырок | μ p | |||||
| Эффективная масса | электронов | m dn* | 1,08 | 0,56 | 0,068 | 0,013 |
| дырок | m dp* | 0,56 | 0,35 | 0,45 | 0,6 | |
| Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, см-3 | N C | 2,8∙1019 | 1,04∙1019 | 4,7∙1017 | 3,7∙1016 | |
| Эффективная плотность состояний в валентной зоне, см-3 | N V | 1,02∙1019 | 6,11∙1018 | 7,0∙1018 | 1,16∙1019 | |
| Диэлектрическая постоянная | ε s | 11,9 | 16,0 | 10,9 | 17,0 | |
| Электронное сродство | χ | 4,05 | 4,00 | 4,07 | 4,60 | |
| Собственная концентрация носителей, см-3 | n i | 1,6∙1010 | 2,5∙1013 | 1,1∙107 | 2,0∙1016 | |
| Время жизни носителей, с | τ | 2,5∙10-3 | 1,0∙10-3 | 1∙10-8 | 1∙10-8 | |
| Дебаевская длина, мкм | L d | 0,68 | ||||
| Показатель преломления | n | 3,44 | 4,0 | 3,4 | 3,75 | |
| Температурный коэффициент | α | 2,4∙10-4 | 3,9∙10-4 | 4,3∙10-4 | 2,8∙10-4 |
Работа выхода из металлов (эВ)
| Mg | Al | Ni | Cu | Ag | Au | Pt |
| 3,4 | 4,1 | 4,5 | 4,4 | 4,3 | 4,7 | 5,3 |
Свойства диэлектриков
| E g, эВ | ε ст | ε ∞ | ρ, г-1∙см-3 | E пр, В/см | |
| SiO2 | 9,0 | 3,82 | 2,13 | 2,33 | 1,2∙107 |
| Si3N4 | 5,1 | 6,5 | 4,2 | 3,11 | 6,0∙106 |
| Ta2O5 | 4,5 | 5,0 | 8,53 | 6,0∙106 |
Date: 2015-05-05; view: 361; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА... |