Обозначения приборных параметров

Ниже приводятся обозначения основных параметров полупроводниковых приборов в соответствии с действующими стандартами, а также наиболее часто используемые в международной документации и других изданиях.

Для обозначения амплитудных значений добавляют индекс m. Например: I _em – амплитудный ток эмиттера.

Для обозначения максимально (минимально) допустимых значений добавляют индексы max, min.

Диод выпрямительный

C – емкость диода

C _Б – барьерная емкость

C _D – диффузионная емкость

C _п C _d – емкость перехода диода

C _д C _tot – общая емкость диода

I _экр I _ут I _D – ток утечки

I _пр I _F – постоянный прямой ток

I _обр I _R – постоянный обратный ток

I _f – прямой ток

I _fsm – прямой ток перегрузки

I _r - постоянный обратный ток

К – коэффициент выпрямления

P _макс P _max – максимально допустимая мощность

r _диф R _d r – дифференциальное сопротивление

r _D – дифференциальное характеристическое сопротивление диода

R _D – дифференциальное сопротивление диода по постоянному току

U _пр U _F – постоянное прямое напряжение

U _обр U _R – постоянное обратное напряжение

U _r – обратное напряжение

U _f – постоянное прямое напряжение

U _откр U _ост U _T – остаточное напряжение

Диод импульсный

I _f – прямой ток

I _fm – импульсный прямой ток

P _и.макс P _{имп.макс} P _{M макс} – максимально допустимая импульсная мощность

T _rr – время обратного восстановления

U _r – обратное напряжение

U _f – прямое напряжение

Варикап

C _tot – общая емкость

К _с – коэффициент перекрытия по емкости

Q – добротность варикапа

U _r – обратное напряжение

Тиристор

U _вкл – напряжение включения

U _перекл – напряжение переключения

α – суммарный коэффициент передачи тока первого и второго транзисторов

Тринистор

I _упр – управляющий ток базы