Коэффициент инжекции

Рассмотрим более подробно выражение для коэффициента переноса, для этого проанализируем компоненты эмиттерного тока, как показано на диаграмме (рис. 5.10).

Рис. 5.10. Зонная диаграмма эмиттерного перехода БТ при прямом смещении

Для анализа коэффициента инжекции g заменим приращение токов dJ _э, dJ _к на их значения J _э, J _к. Выразим эмиттерный ток J _э как сумму электронной J _эn и дырочной J _эp компонент J _э = J _эp + J _эn. Воспользуемся ранее полученными выражениями для компонент тока J _эp и J _эn:

.

Получаем для коэффициента инжекции:

.

Из полученного соотношения следует, что для эффективной работы биполярного транзистора p‑n‑p типа ток эмиттера J _э должен быть в основном дырочным (J _эp). По этой причине эмиттер биполярного транзистора должен быть легирован существенно сильнее по отношению к уровню легирования базы (N _АЭ >> N _ДБ).