Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Определение величины и профиля концентрации легирующей примеси





Для определения величины легирующей концентрации воспользуемся следующим свойством высокочастотных CV характеристик МДП‑структур: их емкость в области инверсии достигает минимальной величины C min и определяется только емкостью области ионизованных доноров C B и емкостью диэлектрика C ox. При этом

. (3.108)

Используя для емкости окисла C ox выражение (3.106) и для емкости области ионизованных акцепторов (3.57), получаем:

. (3.109)

Выражение (3.109), совместно с (1.67) для емкости ОПЗ ионизованных акцепторов, приводит к выражению для концентрации:

. (3.110)

На рисунке 3.18 приведена номограмма зависимости нормированной величины емкости от толщины d ox для систем Si‑SiO2 с концентрацией легирующей примеси N A в качестве параметра. Из рисунка 3.18 видно, что чем меньше толщина диэлектрика и ниже концентрация легирующей примеси, тем больше перепад емкости от минимального до максимального значений наблюдается на ВФХ. Для определения профиля концентрации N A от расстояния вглубь полупроводника z воспользуемся высокочастотной CV кривой, снятой в области неравновесного обеднения. Неравновесное обеднение возможно реализовать в том случае, когда период напряжения развертки меньше постоянной τ генерационного времени неосновных носителей в ОПЗ. В этом случае величина поверхностного потенциала может быть больше ψ s > 2 φ 0, а ширина ОПЗ соответственно больше, чем ширина ОПЗ в равновесном случае. Возьмем также МДП‑структуру с достаточно тонким окислом, таким, чтобы падением напряжения на окисле V ox можно было бы пренебречь по сравнению с величиной поверхностного потенциала, т.е. V ox << ψ s; V Gψ s. В этом случае, согласно (3.108) и (3.110), тангенс угла наклона зависимости

(3.111)

определит величину концентрации N A.

Рис. 3.18. Зависимость нормированной величины емкости в минимуме высокочастотной ВАХ от толщины подзатворного диэлектрика d ox при различных величинах концентрации легирующей примеси для кремниевых МДП‑структур

Значение координаты z, которой соответствует рассчитанная величина N A, определяется при подстановке значения ψ s = V G в выражение для ширины ОПЗ:

. (3.112)

В предельном случае, когда толщина окисла , эту величину используют, измеряя неравновесную емкость как емкость барьеров Шоттки при обратном смещении.

 

Date: 2015-05-05; view: 611; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию