Методические указания. 5.1. Время нарастания и спада импульса (соответственно, длительность переднего и заднего фронта импульса) определяется на интервале от 0,1Um до 0,9Um

5.1. Время нарастания и спада импульса (соответственно, длительность переднего и заднего фронта импульса) определяется на интервале от 0,1 U_m до 0,9 U_m, где U_m – амплитуда импульса.

5.2. Перед началом измерений по п. 3.2.1 установить переключатели в положение 2-4-5-16 и изменением напряжения смещения (источник питания G ₂) и амплитуды импульсов на выходе генератора НЧ получить на выходе транзистора (КТ₅) форму импульсов, близкую к прямоугольной.

5.3. Резисторы R ₄… R ₈ в цепи коллектора имеют значения 75 кОм, 30 кОм, 5,1 кОм, 910 Ом и 130 Ом, соответственно. Ёмкости конденсаторов С ₂ и С ₃

1 нФ и 470 пФ, соответственно.

Обработка результатов измерений

6.1. Построить входные и выходные характеристики транзистора. Определить коэффициент передачи по току и дифференциальное сопротивление транзистора при токе базы, равном 200 мкА.

6.2. Построить графики времени нарастания и спада импульсов в зависимости от сопротивления нагрузки.

6.3. Построить аналогичные графики при подключенном ускоряющим конденсатором С ₂ и при шунтировании перехода коллектор-эмиттер транзистора конденсатором С ₃. Сравнить между собой полученные результаты.

7. Содержание отчёта

Отчёт должен содержать:

7.1. Электрическую схему установки.

7.2. Таблицы и графики входных и выходных характеристик транзистора, его коэффициент передачи тока и входное сопротивление.

7.3. Графики временных характеристик транзистора.

7.4. Выводы.

Вопросы для домашней подготовки

8.1. В каких режимах может работать биполярный транзистор?

8.2. Чем обусловлена задержка фронта выходного импульса при открывании транзистора?

8.3. Чем отличается активный режим работы транзистора от режима насыщения?

8.4. Какие процессы происходят в транзисторе при переходе из режима насыщения в режим отсечки?

8.5. Каким образом можно повысить быстродействие транзисторного ключа?

Литература

1. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника, М.: Высшая школа, 1991.

С.505 – 522.

2. Манаев Е. И. Основы радиоэлектроники, М.: Радио и связь,1985.

С.328 – 331.