Электрическая схема установки. Установка содержит однокаскадный импульсный усилитель на биполярном транзисторе (рис

Установка содержит однокаскадный импульсный усилитель на биполярном транзисторе (рис. 5). Напряжение питания транзистора в цепи коллектора устанавливается источником питания G ₁, а ток коллектора I ₁ контролируется прибором. С помощью переключателя S₄ (положения 16…20) сопротивление нагрузки в цепи коллектора изменяется в пределах 130 Ом…75 кОм.

Переключатель S₃ (положения 5, 6), подключающий ёмкостную нагрузку С ₃ в цепь коллектора, позволяет определять её влияние на форму выходных импульсов.

Режим питания транзистора по цепи базы устанавливается резистором R ₁, подключаемым через переключатель S₁, и источником напряжения смещения G ₂, подаваемого через резистор R ₃.

Импульсный сигнал типа «Меандр» подаётся на Вх. 1 через конденсатор С ₁ и резистор R ₂ на базу транзистора. Ускоряющий конденсатор С ₂, _одклюючаемый параллельно резистору R ₂ переключателем S2, позволяет уменьшить время задержки включения транзистора, обусловленное рассасыванием неосновных носителей в области базы.

Измерители тока базы I ₂ и тока коллектора I ₁ позволяют снять статические характеристики транзистора и определить коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером.

G ₁ КТ₁

-(0…13) В

R ₁ 75к S₅

S₁

20 19 18 17 16

КТ₃ 2

R ₄ R ₅ R ₆ R ₇ R ₈

Вх. 1 С ₁ 20,0 1 75к 30к 5,1к 910 130

КТ₂ + КТ₅

R₂ 3к

С ₂ 1Н КТ₄

6

4 5

VT ₁

S₂ R ₃ 30к МП42А S₃ С ₃ 470

G ₂ (0…2,8) В

Рис. 5. Схема принципиальная электрическая установки для исследования

работы биполярного транзистора в ключевом режиме