МОН-транзистор з вбудованим каналом (Depletion MOSFETs)

Подібно польовим транзисторам з керуючим р-n переходом (JFET), МОН-транзистор з вбудованим каналом складається з протяжної області напівпровідника, що називається каналом. Для р-канального транзистора ця область є напівпровідником р-типа, для n-канального транзистора – n-типу. Вільні електрони від джерела до стоку повинні пройти через цей вузький канал, що закінчується по обидва боки електродами, що називаються джерелом і стоком.

Металевий затвор МОН-транзистора ізольований від каналу тонким шаром двоокису кремнію так, що струм затвора під час роботи дуже малий. Чим більша негативна напруга затвор-джерело прикладене до n-канального транзистора, тим більше канал збіднюється електронами провідності, струм стоку при цьому зменшується. При значенні напруги затвор-джерело Vgs(off) канал цілком збіднений, і струм від джерела до стоку припиняється. Напруга Vgs(off) називається напругою відсічення. З іншого боку, чим більша позитивна напруга затвор-джерело, тим більший розмір каналу, що приводить до збільшення струму. Р-канальний транзистор працює аналогічно, але при протилежних полярностях напруги.

Трививідний N-канальний MOSFET

із вбудованим каналом

Трививідний Р-канальный MOSFET

із вбудованим каналом

Чотирививідний N-канальний MOSFET

із вбудованим каналом

Чотирививідний Р-канальний MOSFET

із вбудованим каналом

МОН-транзистори з індукованим каналом

(Enhancement MOSFETs)

Ці МОН-транзистори не мають фізичного каналу між джерелом і стоком, як МОН-транзистори з вбудованим каналом. Замість цього область провідності може розширятися на весь шар двоокису кремнію.

МОН-транзистор з індукованим каналом працює тільки при позитивній напрузі джерело-затвор. Позитивна напруга джерело-затвор, що перевищує мінімальне граничне значення (Vto), створює інверсійний шар в області провідності, суміжної із шаром двоокису кремнію. Провідність цього індукованого каналу збільшується при збільшенні позитивної напруги затвор-джерело. МОН-транзистори з індукованим каналом використовуються переважно в цифрових схемах і схемах з високим ступенем інтеграції (БІС).

Трививідний N-канальний MOSFET

с індукованим каналом

Трехвыводной Р-канальный MOSFET

с індукованим каналом

Чотирививідний N-канальний MOSFET

з індукованим каналом

Чотирививідний Р-канальный MOSFET

з індукованим каналом

Цифрові елементи

Цифрові елементи програми представлені наступними групами:

Індикатори, логічні елементи, вузли комбінаційного типу, вузли послідовного типу, гібридні елементи.

Індикатори

Семисегментний індикатор (ССІ)

Кожний із семи виводів індикатора керує відповідним сегментом, від а до g. У таблиці функціонування приведені комбінації логічних рівнів, які потрібно установити на вході індикатора, щоб на його дисплеї одержати зображення шістнадцятькових цифр від 0 до F.

Найменування сегментів семисегментного індикатора:

Таблиця функціонування