Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Структура памяти контроллераВсе секции внутренней памяти программ и данных расположены в едином адресном пространстве, (под названием «Унифицированная модель памяти»). Это позволяет конструктору выбирать определенную часть, которая используется в качестве секции кода или как секция данных. Карта памяти показана на рисунке 2.8. Пространство памяти F2833x делится на пространство программ и пространство данных. Есть несколько различных типов памяти, которые могут быть использованы и для хранения программы и для данных. В их число входят независимые разделы флэш–памяти, однопортовое ОЗУ (SARAM– single access RAM), однократно программируемая память (OTP) и загрузочное RОM. Последнее программируется на заводе процедурами загрузочного программного обеспечения и тригонометрическими таблицами, используемыми в математических алгоритмах. Ячейка памяти всегда 16 бит. F2833x можете получить доступ к памяти, так внутри так и вне чипа. F2833x использует 32–битные адреса данных и 22–битные адреса программы. Это позволяет достичь общего адресного пространства в 4G слов (1 слово = 16 бит) данных и 4M слов программ. Блоки памяти на всех F2833x конструктивно равномерно распределены между программой, и данными. Карта памяти показывает разные блоки памяти, доступные для памяти программ и данных. Энергонезависимая встроенная память состоит из FLASH–памяти, загрузочного ROM с 12 сброс–пуск опциями и однократно программируемой (OTP) области. FLASH и ОТР, как правило, используется для хранения кода программы управления и / или для хранения данных, которые должны быть доступны при сбросе. Для загрузки информации в флэш–память и OTP, используется специальная программа загрузки, которая является частью Texas Instruments Code Composer Design Studio и интегрирована в эту среду. Энергозависимая память разделена на 10 областей, называемых M0, M1 и L0 – L7, которые могут быть использованы как в качестве памяти программ так и в качестве памяти данных. PF0, PF1 и PF2 являются блоками периферийных регистров, которые охватывают регистры управления и статуса всех периферийных устройств («Memory Mapped Регистры»).
Рисунок 2.8 – Карта памяти
|