Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Выполнение работы. 3.3.1 Снятие входных характеристик и характеристики передачи тока транзистора:





 

3.3.1 Снятие входных характеристик и характеристики передачи тока транзистора:

3.3.1.1
Используя панель собрать схему лабораторной установки
по рисунку 3. 2;

3.3.1.2

Рисунок 3.2 – Схема для получения характеристик биполярного транзистора
Установить приборы в следующие режимы P1 (V; x1), P2 (mA; x10).
V – вольтметр с пределом 25(50) В;

3.3.1.3 Определите цену деления каждого прибора;

3.3.1.4 Установить Uб-э = 0 с помощью регулятора «ИПН1», Uк-э = 3В с помощью регулятора «ИПН2»;

3.3.1.5 Снять зависимость Iб = f (Uбэ), изменяя Uб-э так, чтобы IБ принимал значения от 0 до 100мкА с шагом 10мкА;

3.3.1.6 Результаты измерений и вычислений занести в таблицу 3.2;

3.3.1.7 Повторить измерения при Uкэ = 8В;

3.3.1.8 Снять характеристику передачи тока ─ Iк = f (IБ), задавая те же самые значения IБ;

3.3.1.9 Результаты измерений и вычислений занести в таблицу 3.3;

3.3.2 Снятие выходных характеристик транзистора:

3.5.2.1 Снять зависимость Iк = f(Uкэ) изменяя Uкэ от 1 до 10В
при IБ =20мкА ─ const, повторить при Iб = 40мкА, IБ = 80мкА;

3.5.2.2 Результаты измерений занести в таблицу 3.4;

 

Таблица 3.2 ─ Зависимость IБ = f(Uбэ)  
№ опыта UКЭ = 3В UКЭ = 8В
UБЭ(В) IБ(мкА) UБЭ(В) IБ(мкА)
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         

 

Таблица 3.3 ─ Зависимость Iк = f (IБ); Iк = f (UБЭ)
№ опыта UКЭ = 6В – const
UБЭ(В) IБ(мкА) IК(мА)
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       

 

 

Таблица 3.4 ─ Зависимость IК = f(UКЭ)

№ опыта Iб = 20мкА Iб = 40мкА Iб = 80 мкА
Uкэ Uкэ Uкэ
В мА В мА В мА
             
             
             
             
             
             
             
             
             
             

Контрольные вопросы

3.4.1 Перечислите основные режимы работы транзисторов.

3.4.2 Какие факторы определяют усилительные свойства транзистора?

3.4.3 Какими отличительными особенностями характеризуются три схемы включения транзистора?

3.4.4 Какие существуют семейства статических характеристик транзистора?

3.4.5 Перечислите h - параметры транзистора, объясните их физический смысл и способ их экспериментального определения.

3.4.6 Почему процесс усиления по току осуществляется в схеме включения транзистора с общей базой

3.4.7 Как влияет величина напряжения на участке коллектор - эмиттер на положение входной статической характеристики транзистора?

3.4.8 Чем объяснить увеличение входного сопротивления транзистора по схеме с общей базой?

3.4.9 Как результаты работы подтверждают основное свойство биполярного транзистора?

 

3.5 Содержание отчета:

3.5.1 название и цель работы;

3.5.2 оборудование и перечень приборов схема;

3.5.3 таблицы с результатами измерений и графики:

· IБ = f (UБЭ) по таблице 3.2;

· Iк = f (IБ); Iк = f (UБЭ) по таблице3.3;

· Iк = f (Uк-э) по таблице 3.4.

3.5.4 входное сопротивление транзистора (h11Э) находят из входных характеристик (h11э=DUБЭ/DIБ);

3.5.5 по выходным характеристикам транзистора определяют значение выходной проводимости (h22э= DIк /DUКЭ);

3.5.6 по выходным характеристикам транзистора определяют значение коэффициента передачи тока (h21э=DIк /DIБ);

3.5.7 ответ на вопрос: «Как результаты работы подтверждают основное свойство биполярного транзистора?».

 

Date: 2015-05-04; view: 1067; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию